Ф основная образовательная программа подготовки в аспирантуре Утверждаю
| Вид материала | Основная образовательная программа |
- Основная образовательная программа высшего профессионального образования Направление, 1316.69kb.
- Основная образовательная программа высшего профессионального образования Направление, 3764.91kb.
- Основная образовательная программа высшего профессионального образования Направление, 3396.78kb.
- Основная образовательная программа высшего профессионального образования Направление, 501.83kb.
- Основная образовательная программа высшего профессионального образования Направление, 636.13kb.
- Основная образовательная программа высшего профессионального образования Направление, 506.79kb.
- Основная образовательная программа высшего профессионального образования Направление, 1110.01kb.
- Основная образовательная программа высшего профессионального образования Направление, 3308.1kb.
- Основная образовательная программа высшего профессионального образования Направление, 325.91kb.
- Основная образовательная программа высшего профессионального образования Направление, 935.12kb.
| Федеральное агентство по образованию Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Ульяновский государственный университет | Форма |  |
| Ф - Основная образовательная программа подготовки в аспирантуре | |
Утверждаю
_____________________________
Проректор по научной работе
и информационным технологиям
Д.Ю. Шабалкин
«______» _______________200__г.
ОСНОВНАЯ ОБРАЗОВАТЕЛЬНАЯ ПРОГРАММА
ПОСЛЕВУЗОВСКОГО ОБРАЗОВАНИЯ
СПЕЦИАЛЬНОСТЬ: _________________________________
Вопросы рассмотрены на заседании ученого совета
_________________________________
наименование подразделения
Протокол № ___ от ___________
Ульяновск, 2007
1. Общие положения
Настоящая основная образовательная программа по специальности 01.04.10 – Физика полупроводников составлена в соответствии с требованиями к основным образовательным программам, предъявляемым Федеральным агентством по образованию РФ (Приказ МО №535 от 21.02.2002, Инструктивное письмо МО № 14-55-898 ин/15 от 30.10.2002), Положением о порядке присуждения ученых степеней (Постановление Правительства РФ от 30 января 2002 года №74 в действующей редакции), а также паспортом научной специальности.
2. Цели и задачи
Цель аспирантуры - подготовка научных и научно-педагогических кадров высшей квалификации для науки, образования, промышленности.
Целями подготовки аспирантов и соискателей (далее аспиранты) ученой степени являются:
- формирование навыков самостоятельной научно-исследовательской и педагогической деятельности;
- углубленное изучение теоретических и методологических основ физико-математических наук;
- совершенствование философского образования, в том числе ориентированного на профессиональную деятельность;
- совершенствование знаний иностранного языка, в том числе для использования в профессиональной деятельности.
- подготовка и завершение квалификационной работы на соискание ученой степени кандидата физико-математических или технических наук.
3. Квалификационные требования к поступающим в аспирантуру УлГУ. Порядок отбора в аспирантуру УлГУ.
К поступающему в аспирантуру УлГУ предъявляются следующие требования:
1) наличие диплома о высшем образовании;
2) наличие знаний, умений и навыков в пределах государственного образовательного стандарта высшего профессионального образования;
3) наличие навыков научной и научно-исследовательской работы;
4) желательно наличие у поступающего публикаций в научных изданиях.
Порядок подачи документов для поступления в аспирантуру УлГУ, порядок конкурсного отбора и зачисления определен в Положении об организации приема в аспирантуру УлГУ.
4. Формула специальности (в соответствии с паспортом научной специальности).
"Физика полупроводников" – область фундаментальной и прикладной науки и техники, включающая экспериментальные и теоретические исследования физических свойств полупроводниковых материалов и композитных структур на их основе (включая гетероструктуры, МОП структуры и барьеры Шоттки), а также происходящих в них физических явлений, разработку и исследование технологических процессов получения полупроводниковых материалов и композитных структур на их основе, создание оригинальных полупроводниковых приборов и интегральных устройств.
Значение научных и технических проблем для народного хозяйства, решаемых в рамках специальности, состоит в развитии физических принципов работы, технологий изготовления и реализации электронных и оптоэлектронных полупроводниковых приборов и интегральных устройств, используемых практически во всех областях человеческой деятельности
5. Область исследования (в соответствии с паспортом научной специальности).
1. Физические основы технологических методов получения полупроводниковых материалов, композитных структур, структур пониженной размерности и полупроводниковых приборов и интегральных устройств на их основе.
2. Структурные и морфологические свойства полупроводниковых материалов и композитных структур на их основе.
3. Примеси и дефекты в полупроводниках и композитных структурах.
4. Поверхность и граница раздела полупроводников, полупроводниковые гетероструктуры, контактные явления.
5. Электронные спектры полупроводниковых материалов и композиционных соединений на их основе.
6. Электронный транспорт в полупроводниках и композиционных полупроводниковых структурах.
7. Оптические и фотоэлектрические явления в полупроводниках и в композиционных полупроводниковых структурах.
8. Спонтанная и стимулированная люминесценция в полупроводниковых материалах и композитных структурах, полупроводниковые лазеры и светоизлучающие устройства.
9. Неравновесные явления в полупроводниках и структурах. Электронная плазма.
10. Акустические и механические свойства полупроводников и композиционных полупроводниковых структур.
11. Динамика кристаллической решетки. Электрон-фононное взаимодействие.
12. Многочастичные взаимодействия в полупроводниках и композитных структурах.
13. Транспортные и оптические явления в структурах пониженной размерности.
14. Мезоскопические явления в полупроводниках и композитных структурах.
15. Некристаллические полупроводники. Органические полупроводники.
16. Магнитные полупроводники.
17. Моделирование свойств и физических явлений в полупроводниках и структурах, технологических процессов и полупроводниковых приборов.
18. Разработка физических принципов работы и создание приборов на базе полупроводниковых материалов и композиционных полупроводниковых структур.
19. Разработка методов исследования полупроводников и композитных полупроводниковых структур.
6. Сроки и порядок обучения в аспирантуре УлГУ
Нормативный срок освоения основной образовательной программы послевузовского профессионального образования подготовки аспиранта при очной форме обучения составляет 3 года и 4 года при обучении по заочной форме.
Аспиранты проходят подготовку в течение нормативного срока обучения в соответствии с Положением об организации обучения в аспирантуре УлГУ.
Аспиранты регулярно отчитываются о выполняемой работе в соответствии с Положением об аттестации аспирантов и соискателей ученой степени кандидата наук УлГУ.
7. Обязательная образовательная программа
В течение времени обучения в аспирантуре аспирант обязан освоить следующие дисциплины: история и философия науки, иностранный язык, спецдисциплины из раздела «Физика полупроводников» в соответствии с учебным планом (Приложение 1).
Аспирант, имеющий высшее образование не соответствующее специальности, по которой подготовлена диссертация, сдает (по решению диссертационного совета) дополнительный кандидатский экзамен по общей физике.
Аспирант выполняет научные исследования под руководством научного руководителя в течение времени предусмотренного учебным планом (Приложение 1). Научно-исследовательская часть программы должна соответствовать следующим требованиям:
- соответствовать основной проблематике научной специальности, по которой защищается кандидатская диссертация;
- быть актуальной, содержать научную новизну и практическую значимость;
- основываться на современных теоретических, методических и технологических достижениях отечественной и зарубежной науки и практики;
- использовать современную методику научных исследований;
- базироваться на современных методах обработки и интерпретации данных с применением компьютерных технологий;
- содержать теоретические (методические, практические) разделы, согласованные с научными положениями, защищаемыми в кандидатской диссертации.
В течение времени обучения в аспирантуре аспирант обязан полностью выполнить индивидуальный план научной работы, сдать кандидатские экзамены, завершить работу над диссертацией и представить ее на обсуждение соответствующей кафедры и ученый (диссертационный) совет в соответствии с Положением об организации обучения в аспирантуре УлГУ.
Основные результаты научно-исследовательской работы аспиранта должны быть опубликованы в научных изданиях, в том числе в журналах из Перечня ведущих рецензируемых научных журналов и изданий, рекомендованных ВАК для публикации основных научных результатов диссертации на соискание ученой степени доктора и кандидата наук. Основные результаты научной работы аспиранта должны пройти апробацию на семинарах и (или) конференциях в других организациях, в которых проводятся научные исследования в области физики полупроводников.
8. Факультативные дисциплины
Аспирантам предоставляется возможность получить дополнительную квалификацию «Преподаватель высшей школы».
Аспирантам предоставляется возможность получения умений и навыков по работе с библиотечными фондами, электронными базами полнотекстового доступа к научным изданиям и т.д. в рамках курса факультативного курса «Основы библиографии», организуемого научной библиотекой УлГУ.
Факультативные занятия для аспирантов, зачисленных в счет контрольных цифр Федерального агентства по образованию, изучаются за счет средств федерального бюджета. Аспиранты, зачисленные на внебюджетной основе, оплачивают факультативные занятия из собственных средств на основе дополнительного договора.
При необходимости кафедры могут организовать факультативные занятия в соответствии с направлением научной деятельности кафедры (без увеличения количества ставок выделяемых на кафедру за подготовку аспирантов).
Время, предназначенное для освоения факультативных образовательных дисциплин, по усмотрению научного руководителя может быть использовано для научной работы аспиранта.
9. Квалификационные требования к выпускнику аспирантуры УлГУ
Выпускники аспирантуры являются научными кадрами высшей квалификации, способными самостоятельно ставить и решать научные и производственные задачи, а также проблемы образования в различных областях физики и математики. Выпускники аспирантуры могут занимать руководящие должности (при наличии необходимого стажа и опыта организационной работы) и должности в высших учебных заведениях, академических и ведомственных научно-исследовательских организациях, частных и государственных компаниях, учреждениях системы среднего профессионального и школьного образования.
Выпускник аспирантуры должен быть широко эрудирован, иметь фундаментальную научную подготовку, владеть современными информационными технологиями, включая методы получения, обработки и хранения научной информации, уметь самостоятельно формировать научную тематику, организовывать и вести научно-исследовательскую деятельность по избранной научной специальности.
Кроме того, результаты научной работы аспиранта должны пройти обязательную апробацию на научных и научно-практических конференциях.
Лицам, успешно завершившим обучение в аспирантуре, предоставляется отпуск продолжительностью 1 месяц с сохранением стипендии.
Ученая степень, присуждаемая при условии освоения основной образовательной программы послевузовского профессионального образования и успешной защиты квалификационной работы (диссертации на соискание ученой степени кандидата наук) кандидат физико-математических наук или кандидат технических наук.
Приложение 1
Учебный план
подготовки аспирантов
в отрасли физико-математические науки
по специальности 01.04.10 “Физика полупроводников”
| №п/п | Код и наименование дисциплины | Всего часов | В том числе | Отчетность | |||
| лекции | Семинары | Практические занятия | Самостоятельная работа | ||||
| 1 | Иностранный язык | 100 | 6 | 34 | 60 | | Канд. экзамен |
| 2 | История и философия науки | 100 | 64 | 36 | | | Канд. экзамен |
| 3. | Образовательно-профессиональные дисциплины по специальности 01.04.10 “Физика полупроводников” | 280 | 90 | | | 190 | |
| 3.1 | Электрические явления в полупроводниках | 90 | 30 | - | - | 60 | канд. экзамен |
| 3.2 | Оптика полупроводников | 100 | 36 | - | - | 64 | |
| 3.3 | Основы полупроводниковой технологии | 90 | 30 | - | - | 60 | |
| 4 | Факультативные дисциплины | 500 | | | | | |
| 4.1 | Основы библиографии | 36 | - | - | 16 | 20 | Зачет |
| 4.2 | Педагогика высшей школы | 150 | 72 | - | - | 78 | Зачет |
| 4.3 | Курсы по выбору аспиранта | 314 | - | - | - | 200 | |
| 5. | Педагогическая практика | 100 | | | | | Зачет |
| Итого обязательных дисциплин | 480 | | | | | 3 экзамена | |
| Итого факультативных дисциплин и практики | 500 | | | | | | |
| Итого часов образовательной программы | 1080 | | | | | | |
| Научно-исследовательская работа (НИР) | 110 недель | | | | | | |
| Защита диссертации (ЗД) | 10 недель | | | | | | |
| Всего часов подготовки | 6480ч. 120 недель | | | | | | |
Форма A Страница стр. из