Азмаганбетова Жаннур Рамазановна Люминесценция чистых и активированных редкоземельными ионами Caso 4 при облучении вуф-радиацией и электронами 01. 04. 00 Физика диссертация

Вид материала

Содержание

4.3 Радиационное создание дефектов в CaSO

Подобный материал:

Спектрально-кинетические и лазерные характеристики кристаллов Na 0,4 y 0,6 f 2,2, активированных, 233.01kb.
Синтез, оптические спектры и стереоатомный анализ структуры сложных халькогенидов,, 855.77kb.
Н. Г. Чернышевского Физический факультет утверждаю " " 20 г. Рабочая программа, 171.98kb.
Лекция №4 «Люминесценция. Эффект Комптона. Корпускулярно-волновая двойственность света», 159.66kb.
Программа проведения обучения по курсу: "Обеспечение радиационной безопасности при, 82.7kb.
Маликова наиля Рамазановна доктор социологических наук, профессор Российской академии, 96.73kb.
Н. П. Диденко, А. В. Замотринский,, 60.34kb.
Физико-химия наноструктурированных материалов, 316.84kb.
Овчарова Е. В., Осипова Ю. А. Недостаточность чистых активов как основание ликвидации?, 19.07kb.
Н. Г. Чернышевского кафедра теоретической и математической физики рабочая программа, 152.3kb.

1 2 3 4 5 6 7

4.3 Радиационное создание дефектов в CaSO₄, активированных редкоземельными ионами

Общеизвестно, что чувствительность дозиметрических кристаллов прямо пропорционально концентрации генерируемых дефектов в облученных CaSO₄.

Важной предпосылкой для достижения лучшего качества дозиметров является выяснение механизма создания собственных дефектов и их роли в процессах запасания и детектирования излучении. К числу чувствительных методов исследования дефектов относится метод термостимулированной люминесценции (ТСЛ). В твердотельных термолюминесцентных дозиметрах поглощенная доза оценивается по площади светосуммы под пиком ТСЛ. Исследованию природы ТСЛ в соединениях со структурой сульфата кальция посвящены многочисленные работы [31,28,107,106]. Наиболее полно изучены процессы ТСЛ в неактивированном CaSO₄ и CaSO₄:Dy³⁺, CaSO₄:Sm³⁺.

Одно из первых измерений ТСЛ неактивированного CaSO₄ было осуществлено A.Tomita и K.Tsutsumi (1978) [127]. В неактивированном CaSO₄, облученном рентгеновскими лучами, с дозой 2×10² Gy при 77 K, были получены слабые пики 108, 143, 303 К и интенсивный пик 213 K. Спектральный состав пиков ТСЛ находится в области от 320 до 360 нм. Излучение для пика 213 K имеет широкую полосу с максимумом 320 нм, а максимум излучения остальных пиков  335 нм. Полосу излучения с максимумом 340 нм V.Gerome и др. [65] связывают с наведенными дефектами решетки типа SO₄^-. Полоса излучения 340 нм описана в работах [66, 67] и по мнению авторов, это излучение возникает при рекомбинации собственных дефектов решетки в сульфатах.

Радиационные дефекты в чистом кристалле CaSO₄, облученном при температуре жидкого азота, исследованы методом ЭПР в работе [2]. Обнаружены четыре типа SO₄^-- радикалов: SO₄^- (А1) и SO₄^- (В1), SO₄^- (А2) и SO₄^-(В2). Линии ЭПР, соответствующие радикалам А1 и В1, отжигаются при 395 К и 465 К, а А2 и В2  при температурах 195 и 215 К. При понижении температуры до 120 К сигналы ЭПР, соответствующие радикалам А2 и В2, восстанавливаются. Авторы [36] предполагают, что неизотермический отжиг сигналов ЭПР связан с переориентацией SO₄^-- радикалов, а при понижении температуры движение замораживается.

Хуцимура и др. [31] методом ЭПР и экзоэлектронной эмиссией обнаружили три вида SO₃^- (А, A', A''') и два вида SO₄^- (B’ и V_ca – SO₄^-) радикалов, а также электронные центры типа V_ca– SO₃^- в облученных рентгеновскими и γ-лучами в CaSO₄ и CaSO₄:Tm. Предполагается, что SO₃^- (А, A', A''') и V_ca – SO₃^- являются электронными, а SO₄^- - дырочными центрами.

Морган и др. [2] методом термоактивационной и ЭПР спектроскопией, обнаружили 13 видов собственных дефектов решетки. Отжиг этих дефектов сопровождается термолюминесценцией при 345 К, 385 К, 490 К, 620 К. Первые два пика авторы связывают с дырочными SO₄^-, SO₃^- и O₃^- центрами. Высокотемпературные пики связывали со сложными бидырочными центрами, ассоциированными с катионными вакансиями.

Из краткого обзора литературных данных следует, что дефектообразование в сульфатах щелочноземельных металлов, в частности, CaSO₄ связано с распадом возбужденных анионных комплексов SO₄^2-. Специфической особенностью нашей работы является исследование дефектообразования методом термоактивационной и ВУФ-спектроскопией при облучении кристаллов CaSO₄:Tb³⁺,Na⁺ c концентрацией активатора 1 моль % и 4 моль % ультрафиолетовым излучением 6-11,5 эВ в широком температурном интервале. Ионы Na⁺ были введены в качестве компенсатора заряда.

В литературе дефектообразование в CaSO₄, активированных редкоземельными ионами (RE³⁺), связываются c двумя электронными процессами:

В облученном CaSO₄:RE³⁺, в конечном процессе релаксации, высокоэнергетические электронные возбуждения трансформируются на низкоэнергетические электронно-дырочные пары и экситоны. Электронно-дырочные пары захватываются примесными ионами по реакции:

(4.1)

В результате такой реакции создаются электронные RE²⁺ и дырочные RE⁴⁺центры захвата.

Низкоэнергетические электронно-дырочные пары и анионные экситоны, возле примесей RE³⁺ захватываются анионными комплексами SO₄^2- матрицы или распадаются с образованием френкелевских пар дефектов по реакции:

(4.2)

при этом создаются коррелированные электронные SO₄^3- и дырочные SO₄^--центры. SO₄^3--центры стабильны только при низких температурах [128] и во вторичных процессах могут распадаться с образованием стабильных дефектов по реакции:

(4.3)

Френкелевские дефекты могут образоваться при прямом распаде возбужденного анионного комплекса по реакции:

(4.4)

Междоузельный кислород O₂⁰ при взаимодействии с анионным комплексом SO₄^2-+O₂⁰ образует новый комплекс [SO₃^-…O₃^-], обнаруженный методом ЭПР в облученном кристалле CaSO₄ [2].

В результате таких процессов, в облученном CaSO₄ должны накапливаться коррелированные дефекты: такие как, при низких температурах - электронные SO₄^3- и дырочные SO₄; при более высоких температурах - электронные SO₃^-υ_a⁺e^- и дырочные SO₄^- и O₃^--центры. В примесных кристаллах такие коррелированные дефекты, наверняка, создаются возле примесных редкоземельных ионов.

Во многих ионных кристаллах накопление дефектов в активированных сульфатах может осуществляться по реакции (4.1). Из литературных данных известно [126], что энергетические уровни электронных центров захвата Ce²⁺и Tb²⁺ в широкощелевых диэлектриках расположены близко ко дну зоны проводимости. Поэтому они не могут обеспечивать накопление центров захватов в CaSO₄:Tb³⁺ даже при комнатной температуре.

В облученном CaSO₄, активированных редкоземельными ионами, дефектообразование должно быть связано с фундаментальными процессами – локализацией и распадом собственных электронных возбуждений - электронно-дырочных пар и анионных экситонов. Во время отжига коррелированных дефектов должны проявиться пики ТСЛ.

В облученном УФ- фотонами при 80 К и электронным пучком 5 кэВ при 300 К (cм. рисунок 36) кристалле CaSO₄:Tb³⁺,Na⁺ появляется группа пиков ТСЛ: низкотемпературная – 95, 190, 235 К и высокотемпературная группа – 320-340, 390-400, 570-600 К.

Природа низкотемпературных пиков ТСЛ в облученных сульфатах обсуждалась в единичных работах. Например, в работе авторов [2], в облученном при 80 К кристалле CaSO₄ обнаружен неизотермический сигнал ЭПР при 195 К и 215 К. Их связывают с переориентацией SO₄^--радикалов, т.е. при этих температурах дырки (SO₄^--радикалы) делокализуются. Многочисленными экспериментальными данными показано, что локализированные дырки SO₄^- термически стабильны до 340-350 К [125,129]. Электронные центры окраски, связанные с захватом электронов собственными анионными комплексами SO₄^2-, должны быть стабильны при температурах ниже 50 К [128], но электронные центры образующиеся при захвате электронов кислородными вакансиями должны быть стабильны до высоких температур (свыше 400 К). Авторы работ [66] в облученном при 80 К кристалле LiKSO₄:Tl, методом ЭПР обнаружили делокализацию и превращение SO₄^--радикалов (Tl²⁺ - центры в LiKSO₄) при 180-185 К и 195-205 К.

Таким образом, обнаруженные нами в CaSO₄:Tb³⁺,Na⁺ низкотемпературные пики ТСЛ 95, 190, 235 К должны быть связаны с делокализацией дырок SO₄^- в коррелированных парах дефектов.

Спектр создания пиков ТСЛ при 185 и 235 К (рисунок 37, вставка), измеренный в широком интервале энергий, показал, что пики ТСЛ эффективно создаются при энергиях фотонов более 9,5 эВ, где создаются свободные электронно-дырочные пары. Аналогичные данные, ранее были получены нами для кристаллов CaSO₄:Dy³⁺ и SrSO₄:Eu [42] для пиков ТСЛ 190, 220-230 К и для дозиметрического пика 480 К. В этих процессах дырки автолокализуются, а электроны захватываются анионными комплексами

и преобразуются по реакции (4.3) в более стабильные электронные центры. Для выяснения эффективности захвата электронов анионными комплексами нами были проведены эксперименты с кристаллами K₂SO₄:NO₃^-, K₂SO₄:Mn²⁺ и K₂SO₄:Tl⁺. Общеизвестно, что примеси NO₃^-, Mn²⁺ и Tl⁺ эффективно захватывают свободные электроны. Проведенные эксперименты показали, что образование электронных активированных центров низкоэффективно, т.е. имеется мощный конкурирующий канал захвата для электронов [41]. В облученном K₂SO₄:Tl⁺ методом ЭПР не обнаружены Tl⁰-центры, но зарегистрированы Tl²⁺-радикалы [41].

На основе экспериментальных данных можно предположить, что дефектообразование в активированных CaSO₄:Tb³⁺,Na⁺ проходит по реакции (4.2), (4.3) и (4.4), при этом возле ионов Tb³⁺ создаются коррелированные электронно-дырочные центры захвата.

Нами была обнаружена фосфоресценция кристаллов CaSO₄:Tb³⁺,Na⁺, облученных УФ-фотонами с энергией более 10 эВ. После прекращения возбуждения регистрировалось внутрицентровое излучение примесей Tb³⁺. Фосфоресценция примесей в облученных ионных кристаллах связывалась с индуциированием локальных электронных состоянии в запрещенной зоне матрицы и дефектами решетки.

В нашем случае фосфоресценцию можно связать с существованием коррелированных электронно-дырочных центров захвата в облученном кристалле CaSO₄:Tb³⁺,Na⁺. Основное 4f состояние иона Tb³⁺ расположено на 4-5 эВ выше потолка ВЗ [126]. Дырка, захваченная основным состоянием иона Tb³⁺, образует глубокое стабильное локальное состояние. Энергетическое состояние, соответствующее коррелированному электронному центру захвата, должно располагаться под зоной проводимости, выше, чем 5d состояние примесного иона Tb³⁺. Электроны от коррелированного дефекта могут туннелировать в 5d состояние примеси Tb³⁺ и рекомбинировать с дырками, захваченными примесями. Энергия рекомбинационного процесса возбуждает примесный ион Tb³⁺. Спектр создания пиков ТСЛ и фосфоресценция кристалла CaSO₄:Tb³⁺,Na⁺идентичны (см. рисунки 37, 39). Интенсивность фосфоресценции прямо пропорциональна числу коррелированных электронно-дырочных центров захватов, т.е. концентрации генерированных УФ-фотонами электронно-дырочных пар.

В спектральном составе всех кривых ТСЛ и фосфоресценции мы наблюдаем внутрицентровое излучение примеси Tb³⁺, Gd³⁺, Dy³⁺, Mn²⁺ в люминофоре CaSO₄. Мы предполагаем, что механизм передачи энергии от коррелированных дефектов примесям Tb³⁺, Gd³⁺, Dy³⁺, Mn²⁺ в CaSO₄, в случае ТСЛ и фосфоресценции должны быть одинаковы.

В фосфоресценции механизм передачи от электронных центров примесям осуществляется путем туннелирования, а в случае ТСЛ за счет термически активированного процесса.

Ранее нами в кристаллах Li₂SO₄, LiKSO₄и в других обнаружена аналогичная экспериментальная закономерность. Спектральное положение рентгенолюминесценции (РЛ), спектральный состав пика ТСЛ и фосфоресценции совпадают. РЛ разгоралась в температурной области, в которой наблюдаются пики ТСЛ. Активационный процесс (повышение температуры) стимулирует электронный переход в коррелированных парах дефектов.

Мы предполагаем, что передача энергии СЭВ примесям может осуществляться по различными каналами. Одним из вероятных каналов передачи энергии примесям является образование коррелированных пар дефектов.

На основе наших экспериментальных данных можно предположить, что в люминофорах CaSO₄:Tb³⁺,Na⁺, CaSO₄:Gd³⁺,Na⁺, CaSO₄:Dy³⁺,Na⁺, CaSO₄:Mn²⁺ облученные УФ-фотонами, рентгеновскими лучами, электронами создаются коррелированные радиационные дефекты при захвате свободных электронно-дырочных пар анионными комплексами SO₄^2- или при распаде возбужденного анионного комплекса на френкелевские пары подпороговыми механизмами.

Предполагается, что низкотемпературные пики ТСЛ появляются в результате делокализации дыркок SO₄^-в коррелированных центрах, а высокотемпературные пики ТСЛ связываются с термическим распадом дырочных SO₄^-, O₃^- и бидырочных сложных центров. Появление внутрицентровых излучений ионов Tb³⁺, Gd³⁺, Dy³⁺в фосфоресценции и спектрах ТСЛ связываются с передачей энергии от коррелированных электронно-дырочных центров захвата примесям Tb³⁺, Gd³⁺, Dy³⁺путем туннелирования электрона или активированными переходами электронов в 5d состояния ионов Tb³⁺, Gd³⁺, Dy³⁺с последующей рекомбинацией с дыркой, захваченной основным 4f состоянием примеси. Передача энергии высокоэнергетическими электронными возбуждениями примесям осуществляется с участием коррелированных электронно-дырочных центров захвата.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

В сульфатах щелочноземельных металлов методом термоактивационной спектроскопии и люминесценции в широком интервале температур (8-500 К) и оптического спектра (1,5-30 эВ) исследована природа собственной и примесной люминесценции, передача энергии собственными электронными возбуждениями примесным центрам свечения и дефектообразование в CaSO₄:RE³⁺,Na⁺.

В результате комплексного исследования релаксации собственных и примесных электронных возбуждений получены оригинальные данные, позволившие сформулировать основные выводы диссертационной работы, которые заключаются в следующем:

Впервые доказано, что в CaSO₄, активированных ионами Tb³⁺(2,27 эВ), Gd³⁺(~4 эВ), Dy³⁺(2,65 эВ), Eu³⁺(2,1 эВ) и Mn²⁺(2,57 эВ), существует общий эффективный механизм передачи энергии от собственных электронных возбуждений к примесным ионам. Фотоны 8,2-8,4 эВ возбуждая оксианионный комлекс SO₄^2-, создают своеобразный молекулярный экситон.
Показано, что второй основной механизм возбуждения ионов Tb³⁺, Gd³⁺, Dy³⁺, Eu³⁺ и Mn²⁺ связан с созданием фотонами с энергией больше, чем ширина запрещенной зоны E_g=9,5 эВ, разделенных электронов и дырок, которые рекомбинируя возле примесных ионов возбуждают люминесценцию примесных центров.
Еще более эффективный механизм возбуждения свечения Gd³⁺ ионов (~4 эВ) обнаружен при облучении CaSO₄:Gd³⁺,Na⁺ фотонами 27-30 эВ при 9 К, когда каждый фотон создает в матрице по две и более электронно-дырочные пары в режиме размножения электронных возбуждений.
Для люминофора CaSO₄:Tb³⁺,Na⁺ с концентрацией примесных центров 4моль% в согласии с данными [70] получена квантовая эффективность свечения Tb³⁺-центров не менее 1 при облучении фотонами с энегрией hν=8,4 эВ. Этот процесс, возможно, связан с передачей энергии от возбужденного оксианиона к двум ионам Tb³⁺ в стабильном квартете ионов (Tb³⁺Na⁺)₂.
Слабые низкотемпературные широкополосные свечения номинально чистого CaSO₄ (в области 1,8-3,0 эВ, 3,8 эВ и 4,3 эВ) резко ослабляются при введении в матрицу ионов Tb³⁺, Gd³⁺, Dy³⁺, и зависят от атмосферы и температуры окончательной прокалки люминофора. В предварительно не активированном CaSO₄ зарегистрирована новая полоса люминесценции 4,4 эВ, возникающая при электронно-дырочной рекомбинации в регулярной решетке или вблизи точечного дефекта.
Для чистых и легированных ионами Tb³⁺, Gd³⁺, Dy³⁺, Eu³⁺ и Mn²⁺ в CaSO₄ после облучения при 5-8 К электронами с энергией 5 кэВ обнаружена туннельная фосфоресценция и низкотемпературный пик ТСЛ в области 50-55 К, интенсивность которого в чистом CaSO₄ доминирует над остальными пиками ТСЛ (70, 110, 125, 180, 240, 360, 400 К). Введение в CaSO₄ примесных центров ведет к перераспределению интенсивностей пиков в пользу высокотемпературных пиков 250 К для RE³⁺Na⁺ центров и 360 К для Mn²⁺ ионов.

СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННЫХ ИСТОЧНИКОВ ЛИТЕРАТУРЫ

Лущик Ч. Б., Витол И.К., Эланго М.А. Распад электронных возбуждений на радиационные дефекты в ионных кристаллах. // УФН. -1977. -С. 223-251.
Morgan M.D., Stoebe T.G. Thermoluminescent mechanisms in CaSO₄:Dy single crystals. // Radiation Protection Dosimetry –1986. -Vol. 17. -P. 455-458.
Кузнецов А.И., Савихина Т.И. О безызлучательных рекомбинациях при поверхностных слоях кристаллофосфоров. // Труды ИФ АН ЭССР – Тарту, -1972. Т.40. –С.53-62.
Мерило И.А., Лущик Н.Е. Сенсибилизованная люминесценция Ca₃(PO₄)₂-Ca,Mn и Ca₃(PO₄)₂-In,Mn. // Труды ИФ АН ЭССР – Тарту, -1962. Т.18. –С.51-36.
Hilsch R. Pohl R. Einige Dispersion fzequenzen der Alkalihalogenid Kristalle im schamanugetict. // Ztschz Phys., 1930. Bd. 59б р. 812-819
Мотт Н., Герни Р. Электронные процессы в ионных кристаллах. М. ИЛ. 1950.
Зейтц Ф. Современная теория твердого тела. М., Л: Гостехизуст 1949
Bennett A.J., Roth L.M. Electron structure of defect centres in SiO₂. // J. Phys. Chem. Solids, 1971, v. 32, № 6, p. 1251-1260.
Кузнецов А.И., Абрамов В.Н., Мюрк В.В., Намозов Б.Р. Собственные электронные возбуждения люминесценция оксидов металлов третьей группы . – Труды ИФ АН ЭССР, 1989, 63, с. 19 – 42.
Кружалов А.В., Огородников И.Н., Кудяков С.В. Излучательная релаксация низкоэнергетических электронных возбуждений и точечные дефекты в оксиде бериллия. // Изв. ВУЗ, 1996, 11, с. 75 – 93.
Kirm M., Feldbach E., Kink R., Lushchik A., Lushchik Ch., Maaros A., Martinson I. Mechanisms of Intrinsic and Impurity Luminesence Excitation by Synchrotron Radiation in Wide-Gap Oxides // J. Of Electron Spectroscopy, 1996, 79, p. 91-94.
Lushchik Ch., Feldbach E., Frorip A., Kirm M., Lushchik A., Maaros A. And Martinson I. Multiplication of electronic excitations and in CaO and YAlO₃crystals with free and self –trapped excitons // J. Phys: Condens. Matter, 1994, 6, p. 11177 – 11187.
Feldbach E., Kink R., Kirm., Lushchik A., Lushchik Ch. Lohmus A., Martinson I. Electronic excitations and UV Luminescence in SrO crystals at 8 K. // Chemical Physics Letters, 1995, 241, p. 597- 602.
Вайсбурд Д.И., Семин Б.Н. Внутризонная радиолюминесценция диэлектриков // Изв. РАН. Сер. физ., 1992, т. 56, № 2, с. 103 – 112.
Лущик Ч.Б., Лущик А.Ч., Васильченко Е.А., Савихин Ф.А. Люминесценция одногалоидных экситонов и внутризонная люминесценция в щелочно-галоидных кристаллах. // ФТТ, 1995, т. 37, № 2, с. 525 – 535.
Савихин Ф.А., Васильченко В.П. Спектры внутризонной люминесценции диэлектриков и полупроводников возбуждаемых импульсными пучками электронов и электрическим полем // ФТТ, 1997, т. 39, № 4, с. 613 – 617.
Ибрагимов К.У., Савихин Ф.А. Кросс-люминесценция и внутризонная люминесценция кристаллов CsCl. // ФТТ, 1993, 35, №6, с. 1474 - 1482.
Лущик Ч.Б., Куусман И.А., Фельдбах Э.Х. Савихин Ф.А., Битов И.В., Колк Ю.В., Лейб Т.Ю., Либлик П.Х., Маарос А.А., Мерило И.Л. Излучательный и безызлучательный распад электронных возбуждений в сверхпроводящих металл-диэлектрик. // Труды ИФ АН ЭССР, 1989, 66, с. 137 – 176.
Kityk I.V., Andrievskii B.V. and Yuvshenko F.G. Phys. Stat. sol. (b) 1994,182, K79
Savikhin F., Kerikmae M., Feldbach E., Lushchik A., Onishchik D., Rakhimov D. and Tokbergenov I. Fast intrinsic emission with the participation of oxyanion and cation excitations in metal sulphates, Phys. Stat. sol. (c) 2, 2005, No. 1, p. 252-255
Лущик Ч.Б., Лущик А.Ч. Распад электронных возбуждений с
образованием дефектов в твердых телах. – Москва: Наука, 1989.
Лущик Ч.Б., Эланго М.А. Экситонный механизм создания
радиационных дефектов в ионных кристаллах. // Сб. Радиационная
физика неметаллических кристаллов. -1970. - С.195-202.
Захаров Ю.А., Невоструев В.А., Рябых С.М., Сафонов Ю.Н. Современное состояние радиационной химии неорганических твердых тел. // Химия высоких энергий. –1985. -Т. 19, №5. -С. 398-407.
Hariharan N., Sobhanadzi J. ESR studies of paramagnetic centers in irradiated Li₂SO₄:H₂O. // J. Phys. Chem. Sol. –1969. -V. 30, № 3. -P. 778-781.
Шаршеев К. Радиационные дефекты в монокристаллах сульфатов щелочных металлов с примесью трехвалентного хрома: Автореф. дис. канд. физ-мат. наук. -Фрунзе, 1984. –24 с.
Hariharan N., Sobhanadzi J. Color Centre in Certain Alkali Sulphate Crystal: Part 1. Optical absorption in Irradiated Sodium Sulphate. / /Indian J. pure appl. Phys. –1968. -V. 6. -P. 73-74.
Hariharan N., Sobhanadzi J. Electron Spin Resonance in X-irradiated Sodium Sulphate. Part 1 //Mol. Phys. –1969. -V. 17, № 3. -P. 507-516.
Crovov V.V., Mortov I.R. Paramagnetic Resonance in Irradiated Potassium Sulphate. // Canad. J. Chem. –1966. -V. 44, № 4. -P. 527-528.
Перекалина З.Б., Климова А.Ю. Беляев Л.Н. Оптическая активность LiKSO₄ с примесью хрома. // Кристаллография. –1978. -Т. 23, Вып. 1. -C. 124-127.
Bansal M.L., Deb S.K., Roy A.P., Sahni V.E. New Phase Transition in LiKSO₄. // Solid State Comun. –1980. -V. 36, № 12. -P. 1047-1050.
Huzimura R., Atarashi K. The Role of Sulfur-Oxy Radicals in thermoluminescence and Exoelectron Emission of CaSO₄ Phosphors. // Phys.Stat.Sol.(a) -1982. -Vol.70. -P.649-657.
Bhatt B. G., Shinde S.S., Srivastava J.K., Gundu R. Effects of Charge compensator co-doped ions on the TL characteristics of CaSO₄:Dy and CaSO₄:Sm phosphors. // Radiation Protection Dosimetry –1996. -Vol. 65, № 1-4. -P.287-290.
Matthews R.J., Stoebe T.G. Thermoluminescent spectra and optical absorption in CaSO₄:Dy. // J. Phys. C: Solid State Phys. -1982. -Vol.15. -P. 6271-6280.
Barkyoumb J. H., Mathur V.K., Lewandowski A., Giblin I. Low–temperature luminescence properties of CaSO₄:Dy // Journal of Luminescence –1997. No.72-74. -P.624-632.
Nair S.R., Kondowar V.K., Upadeo S.V., Moharil S.V. and Gundurao T.K. Redox Reactions, Radio-photoluminescence and Thermoluminescence in CaSO₄:Eu. // J.Phys: Condens. Matter. –1997. –Vol.9. -P.8307-8323.
Danby R.J., Boas J.F., Calvert R.L., Pilbrow J.R. ESR of Thermoluminescent centers in CaSO₄ single crystals. // J. Phys.C: Solid State Phys. -1982. -Vol.15. -P. 2483-2493.
Ким Л.М., Махметов Т.С., Ташимова А.К. Каналы распада анионного комплекса в кристаллах сульфатов // Электронные и ионные процессы в диэлектриках. // Сб. научн. тр. – Караганда.: Изд-во КарГУ, 1995. -С. 45-48.
Нурахметов Т.Н., Салиходжаев Д.М., Н.А. Большакова. Радиационные дефекты в сульфатах щелочных и щелочно-земельных металлов. // Известия НАН РК. Серия физико-математическая. - 2002. - №6. - С.7-17.
Плеханов В.Г., Осминин В.С. Исследование спектров отражения и люминесценции сульфата калия при низкой температуре //Оптика и спектроскопия. –1975. -T.38, № 1. - C.120-122.
Плеханов В.Г., Осминин В.С. Спектры отражения сульфатов щелочных металлов при 78 К //Оптика и спектроскопия. –1975. –Т. 39, В.3. - С. 604-605.
Нурахметов Т.Н. Электронные возбуждения и радиационные дефекты в гранецентрированных ЩГК и сульфатах щелочных и щелочноземельных металлов: Диссертация док.физ.-мат.наук:.01.04.07. -Алматы.: ФТИ, 2001.
Токбергенов И. Электронные возбуждения и люминесценция сульфатов щелочных и щелочноземельных металлов: Диссертация канд.физ.-мат.наук:. 01.04.07. – Алматы, 2000 г.
Tokbergenov I., Feldbach E., Kerikmae M., Lushchik A., Nagirnyi V., Nurakhmetov T., Savikhin F. and Vasil’chenko E. Molecular excitons and electron-hole processes in K₂SO₄and CaSO₄//Radiation Effects &Defects in Solids. -1999. -Vol.150. - P.103-107.
Lakshmanan A.R. Photoluminescence and thermostimulated luminescence processes in rare-earth-doped CaSO4 phosphors. Progress in Materials Science -1999. № 44. -187 p.
Lushchik A., Savikhin F., Tokbergenov I. Electron and hole intraband luminescence in complex metal oxides//Journal of Luminescence.-2003. № 102-103. -P.44-47.
van der Kolk E., Dorenbos P., Vink A.P., Perego R.C., van Eijk C.W.E. Vacuum ultraviolet excitation and emission properties of Pr³⁺ and Ce³⁺ in MSO₄(M=Ba, Sr, and Ca) and predicting quantum splitting by Pr³⁺ in oxides and fluorides //Physical Review B. -2001.-Vol.64. -P.195129-1-195129-12.
Lapraz D., Prevost H., Lacconi P., Guigues C., Benabdesselam M., Briand D. On the Luminescence properties of CaSO₃:Ce //Radiation protection dosimetry. -2002. -Vol.100, №:1-4. –P.365-368.
Lushchik A., Lushchik Ch., Kotlov A., Kudryavtseva I., Maaroos A., Nagirnyi V., Vasilchenko E. Spectral transformers of VUV radiation on the basic of wide-gap oxides//Radiation Measurements. -2004. № 38. -P.747-752.
Chunfang Wu, Yuhua Wang, Wenjing Liu. UV–VUV-excited photoluminescence of RE-activated CaLaP₃O₁₀ (RE = Eu,Tb). // Journal of Solid State Chemistry -2006. Vol.179. –P.4047–4051.
Zhou Y., Feofilov S.P., Seo H.J., Jeong J.Y., Keszler D.A., Meltzer R.S. Energy transfer to Gd³⁺ from the self-trapped exciton in ScPO₄:Gd³⁺: Dinamics and application to quantum cutting. // Physical Review B 77, 2008. 075129.
Савихина Т.И. Спектры возбуждения люминесценции кислородосодержащих кристаллофосфоров в области 3-21 эВ. // Труды ИФ АН ЭССР – Тарту, -1972. Т.40. –С.24-52.
Савихина Т.И., Мерило И.А. Спектры возбуждения люминесценции Sr₃(PO₄)₂-Tb³⁺ и Mq₂SnO₄-Mn²⁺в области 4-21 эВ. // Труды ИФ АН ЭССР – Тарту, -1980. Т.51. –С.87-95.
Menon S.N., Sanaye S.S., Dhabekar B.S., Kumar Rajesh, Bhatt B.C. Role of Mn as a co-dopant in CaSO₄:Mn,Pr TL phosphors. // Radiation Measurements -2005. Vol.39. –P.111-114.
Ильмас Э.Р., Лущик Ч.Б. Спектральные трансформаторы с фотонным умножением для неоновых люминесцентных ламп. // Труды ИФ АН ЭССР – Тарту, -1972. Т.40. –С.3-23.
Лущик Ч.Б., Савихина Т.И., Мерило И.А., Совиик Х.А. Электронные возбуждения и люминесценция ортофосфата и галофосфатов щелочноземельных металлов. // Труды ИФ АН ЭССР – Тарту, -1986. Т.58. –С.123-141.
Александров Ю.М., Кузнецов А.И., Лущик Ч.Б, Махов В.Н., Мерило И.А., Савихина Т.И., Сырейшиков Т.И., Якименко М.Н. Спектры возбуждения люминесценции кислородосодержащих соединений синхротронным излучением (5-25 эВ). // Труды ИФ АН ЭССР – Тарту, -1982. Т.53. –С.7-30.
Савихина Т.И., Мерило И.А. Фотонное умножение в простых и двойных оксилов металлов. // Труды ИФ АН ЭССР – Тарту, -1979. Т.49. –С.146-171.
Patil R.R., Muthal P.L., Dhopte S.U., Kondawar V.K., Moharil S.V. Synthesis and properties of submicron range CaSO₄:Eu particles. // Journal of Luminescence -2007. Vol.126. –P.571-574.
Lakshmanan A.R., Tomita A. Thermolumulated luminescence, exoelectron emission and X-ray induced luminescence studies in CaSO₄:Eu and CaSO₄:Eu,Na. // Phys.Stat.Sol (a) -1999. Vol.173. –P.503.
Godbole S.V., Negpal J.S., Page A.G. UV-induced photoluminescence and thermally stimulated luminescence of CaSO₄:Eu and CaF₂:Tb³⁺ phosphors. // Radiation Measurments -2000. Vol.23. –P.343-348.
Aboltin D.E., Grabovskis V.J., Kangro A.R., Lushchik Ch.B., O'Konnel-Bronin A.A., Vitol I.K., Zirap V.E.. Thermally stimulated and tunneling luminescence and Frenkel defect recombination in KCl and KBr at 4.2 to 77 K //Phys. Status Solidi (a). 1978.V. 47. P. 667 675.
Грабовскис В.Я., Витол И.К. Туннельная люминесценция в KBr-KI. // Учен.зап.Латв. ун-та. -1974. Том.208. –Стр.31-35.
Moharil S.V., Bodade S.V., Sahare P.P. Luminescence in LiNaSO₄:Eu phosphor. // Radiation and Defects in Solids -1993. Vol.127. –P.177-182.
Kumar K.V.S., Asharyulu B.S.V.S.R., Sastry S.B.S. Redox reaction and thermoluminescence in dysprosium-doped potassium sulfate phosphor. // J.Luminescence -1993. Vol.55. –P.43-48.
Gerome V., Tacconi P., Laproz D., Prevost H., Bauer A. Thermoluminescence of undoped and Dy – doped CaSO₄: Influence of the preparation methods. // Radiation Protection Dosimetry -1996. -Vol. 65, № 1-4. -P.309-312.
Peto A., Keleman A., Ötvös N. Radioluminescence characteristics of CaSO₄:Dy,Cu. // J.Luminescence -1997. -Vol.72-74. -P.778-780.
Lewandowski A.C., Bazkyoumb J.H., Matsuz V.K. Thermoluminescence emission, excitation and stimulation spectra of CaSO₄:Dy and CaSO₄:Tm. // Radiation Protection Dosimetry -1996. -Vol.65, № 1-4. -P. 281-286.
Vink A.P., E. van der Kolk, Dorenbos P., C.W.E. van Eijk. Luminescent ptoperties of Ce³⁺ in MSO₄ (M:Ca, Sr and Ba) and the effect of Na⁺ co-doping. // Optics Communications -2002. Vol.210. –P.277-284.
Yamashita N., Hamada T., Takada M., Katsuki M., Nakagawa M. Photoluminescence and thermoluminescence of MgSO₄, CaSO₄, SrSO₄ and BaSO₄ powder phosphors activated with Tb³⁺. // Jpn. J. Appl.Phys. -2001. Vol.40. –P.6732-6736.
Lakshmanan A.R., Kim S.-B., Jang H.M., Kum B.G., Kang B.K., Heo S., Seo D. A quantum-splitting phosphor exploting the energy transfer from anion excitons to Tb³⁺ in CaSO₄:Tb,Na. // Adv.Funct.Mater. -2007. -Vol.17. -P. 212-218.
Вест А. Химия твёрдого тела. Теория и приложения. Часть 1.М.:Мир,1988.- 556 с.
Фурса Т.В., Найден Е.П., Юсипов К.Ю., Усманов Р.У. Особенности механоэлектрических преобразований в диэлектрических материалах в области структурно фазовых превращений. // Журнал технической физики, 2004, том 74, вып.12, стр.52-55.
Wasatjerna J.A. Structure of anhydrite. Structure of the sulphate group. // Soc. Sci. Fennica Comm. Phys. Math. 2, 1925, no.26.
Dickinson E.C.S., Binks W. The crystalline structure of anhydrite. // Phil. Mag.2, 1926, 114-128.
Kirfel A., Will G. Charge density in anhydrite CaSO₄ from EX-ray and neutron diffraction measurements. // Acta Cristallogr. Sect.B.36 1980, 2881.
Hawthorne F.C., Ferguson R.B. Anhydrous sulphates. II. Refinement of the crystal structure of anhydrite. // Canadian Mineralogist, 1975, Vol.13, pp.289-292.
Ормонт Б.Ф. Структуры неорганических веществ. // М.-Л.б 1950. 777.
Спиридонов В.П., Лутошкин Б.И. Вестник МГУ, Химия – 1970, Т.5. с.509.
Коган В.Б., Огородников С.К., Кафаров В.В. Справичник по растворимости – М.:Наука, 1969. Т.3 -1170 с.
McGinnety J.A. Acta Crystallogr. 1992. – Vol.B28, №9. P.2845-2852.
Nord A.G. Acta Chem. Scand. 1973. – Vol.27. P.814-822.
El-Kabbany F., Band Y., Tosson M. Phys. Stat. Sol. (a). 1981. – Vol.63. P.699-704.
Salihodzhaev D.M., Nurakhmetov T., Baktybekov К.S., Akylbekov A.T., Primova A.S., Rahimov D.E. Quantum-chemical simulation of defect formation processes in alkali metals sulphates. // The 15^th International Conference on Defects in Insulating Materials (ICDM-2004) Phys. Stat. sol., 2004, P-(c)453-456.
Салиходжаев Д.М. Моделирование механизмов создания и разрушения радиационных дефектов в ионных кристаллах. // Дис. канд. физ-мат. наук. - Алматы, 2000. – 104 с.
Лущик Ч.Б. Исследование центров захвата в щелочно-галоидных кристаллофосфорах //Труды института физики и астрономии №3 –Тарту. 1955, 230 с.
Ребане К.-С.К. Люминесценция. –Тарту, 1966. –Т. 2. –236 с.
Гурвич А.М. Введение в физическую химию кристаллофосфоров. М.: Высш. Школа, 1982.–376 с.
Фок М.В. Введение в кинетику люминесценции кристаллофосфоров. М.: Наука, 1964. –283 с.
И.Л.Куусманн, П.Х.Либлик, А.А.Туберг. Высоковакуумная установка для низкотемпературного исследования катодолюминесценции кристаллов. // Тр. ИФ АН ЭССР, том 44, 102, 1975.
И.Л.Куусманн, П.Х.Либлик, Р.А.Мугур, В.М.Тийт, Э.Х.Фельдбах, Р.В.Шацкина, Я.Я.Эндула. Низкотемпературная установка для исследования катодолюминесценции в ВУФ-области спектра. // Тр. ИФ АН ЭССР, том 51, 57, 1980.
G.Zimmerer. SUPERLUMI:Aunique setup for luminescence spectroscopy with synchrotron radiation. //Radiation Measurements 42 (2007) 859-864.
Belskiy A.N., Kamenskikh I.A., Mikhailin V.V., Shpinkov I.N., Vasiliev A.N. Electronic Excitation in crystals with complex oxianions. // Physica Scripta -1990. –Vol.41. –P.530-536.
Krasnaya A.R., Oster L.N., Yaskolko V.Ya. Exoelectron spectroscopy of dielectrics under photon and low-energy electron excitation. // Phys.Stat.Sol. (a) -1996. Vol. 97. –P.153-157.
Александров Ю.М., Кузнецов А.И., Лущик Ч.Б, Махов В.Н., Мерило И.А., Савихина Т.И., Сырейшиков Т.И., Якименко М.Н. Спектры возбуждения люминесценции кислородосодержащих соединений синхротронным излучением (5-25 эВ). // Труды ИФ АН ЭССР – Тарту, -1982. Т.53. –С.7-30.
Blasse G., Brill A., de Mesquita G., de Poorter I.A. Fast phosphor for color television. // Philips. Techn. Rev., -1971. -Vol.32. -№5. – P.125-130.
Арбузов В.И., Грабовскис В.Я., Ковалева Н.С., Рогулис У.Т., Толстой М.Н. Спектры межконфигурационных 4f⁸-4f⁷5d – переходов ионов Tb³⁺ в фосфатных стеклах. // Оптика и спектроскопия. -1988. Tом 65, вып.4. -Cтр.943-947.
Васильева Н.В., Рандошкин В.В., Колобанов В.Н., и др. Спектрально-люминесцентные свойства эпитаксиальных пленок гадолиний-галлиевого граната, легированных тербием. // Физика твердого тела. -2007. Tом 49, вып.3. -Cтр.460-464.
Yu-Chun Li, Yee-Shin Chang, Yu-Cheng Lai, Yi-Jing Lin, Chin-Hao Laing, Yen-Hwei Chang. Luminescence and energy transfer properties of Gd³⁺ and Tb³⁺ in LaAlGe₂O₇. // Materials Science and Engineering B -2008. Vol.146. –P.225-230.
Архангельская В.А., Вайнберг Б.И., Разумова Т.К. Простой способ определения пропускания некоторых оптических материалов в шумановской области спектра. // Оптика и спектроскопия. -1963. T. 1. -C. 1018-1020.
Кузьмин В.В., Лущик Ч.Б., Савихин Ф.А., Соколов А.Д., Яэк И.В. Термолюминесцентный дозиметр быстрых нейтронов. // Атомная энергия. -1967. №22. -С.482-488.
Dexter D.L.. A theory of sensitized luminescence in solids. // Phys. Rev. -1957. Vol.108. -P.630-635.
Kaneko Y., Morimoto K., Koda T. // J.Phys.Soc.Japan -1983. –Vol.52. –P.4385.
Dorenbos P. Exchange and crystal field effects on the 4f^n-15d levels of Tb³⁺. // J. Phys.: Condens. Matter -2003. Vol.15. –P.6249–6268.
Ch.Lushchik. // J.Phys.:Condens.Matter -1994. Vol.6. –P.11177-11187.
E.F.O. de Jesus, A.M. Rossi, R.T. Lopes. Electron spin resonance evaluation of pure CaSO₄ and as a phosphor doped with P and Dy. // Radiat. Prot. Dosim. -2002. Vol.101. –P. 553-556.
Calvert R.L., Danby R.J. Thermoluminescence and radiophotofrom Eu- and Sm-doped CaSO₄. // Phys.Stat.Sol. (a) -1987. Vol.83. –P.597-604.
Kharabe V.R., Dhoble S.J., Moharil S.V. Synthesis of Dy³⁺ and Ce³⁺ activated Sr₆BP₅O₂₀ and Ca₆BP₅O₂₀ borophosphate phosphors. // J.Phys.D: Appl.Phys. -2008. Vol.41. –P.205413.
Lo D., Makhov V.N., Khaidukov N.M., Krupa J.C. Two-photon excitation to 4f⁶5d configuration of Gd³⁺in LiGdF₄ crystal by KrF excimar laser. // J.Lumin. -2000. Vol.119-120. –P.28-32.
Dorenbos P. The 5d level positions of the trivalent lanthanides in inorganic compounds. // Journal of Luminescence -2000. Vol.91. –P.155-176.
Запасский В.С., Феовилов П.П. // Спектроскопия кристаллов М.: Наука -1975. –С.85.
Belsky A.N., Krupa J.C. Luminescence excitation mechanisms of rare earth doped phosphors in the VUV range. // Displays. -1999. Vol.19. –P.185-196.
Zhong J., Liang H., Han B., Tian Z., Su Q., Tao Y. // Opt.express. -2008. Vol.16. –P.7508.
Kirm M., Krupa J.C., Makhov V.N., True M., Vielhauer S., Zimmerer G. High-resolution vacuum ultraviolet spectroscopy of 5d-4f transitions in Gd and Lu fluorides. // Phys. Rev. -2004. B 70. –P.241101(R).
Fukuda Y. Thermoluminescence in calcium fluoride doped with terbium and gadolinium ions. // Radiat. Meas. -2008. Vol.43. –P.455-458.
Савихина Т.И., Мерило И.А. Фотонное умножение в простых и двойных оксилов металлов. // Труды ИФ АН ЭССР – Тарту, -1979. Т.49. –С.146-171.
Андриевский Б.В., Курляк В.Ю., Романюк Н.А., Урсул З.М. Спектры отражения и оптические постоянные монокристаллов сульфата калия в области 4 – 22 эВ. // Опт.спектр. -1989. Т.66. вып.3. –С.623-628.
Лущик Н.Е., Лущик Ч.Б., Мерилоо И.А., Соовик Х.А.. Миграция энергии и фoтонное умножение в кристаллофосфорах, активированных марганцем. // Труды ИФА АН ЭССР. -1966. T.34, -C. 49-67.
Горбачев Б.Н., Ильмас Э.Р., Лущик Ч.Б., Савихина Т.И. Фотонное умножение в кристаллофосфорах ZnS-Mn. // Труды ИФ и астрономии АН ЭССР, 34 (1966) 30-48.
Савихина Т.И. Спектры возбуждения люминесценции кислородосодержащих кристаллофосфоров в области 3-21 эВ. // Труды ИФ АН ЭССР – Тарту, -1972. Т.40. –С.24-52.
Кузнецов А.И., Савихина Т.И. О безызлучательных рекомбинациях при поверхностных слоях кристаллофосфоров. // Труды ИФ АН ЭССР – Тарту, -1972. Т.40. –С.53-62.
Мерило И.А., Лущик Н.Е. Сенсибилизованная люминесценция Ca₃(PO₄)₂-Ca,Mn и Ca₃(PO₄)₂-In,Mn. // Труды ИФ АН ЭССР – Тарту, -1962. Т.18. –С.51-36.
Савихина Т.И., Мерило И.А. Спектры возбуждения люминесценции Sr₃(PO₄)₂-Tb³⁺ и Mq₂SnO₄-Mn²⁺в области 4-21 эВ. // Труды ИФ АН ЭССР – Тарту, -1980. Т.51. –С.87-95.
Menon S.N., Sanaye S.S., Dhabekar B.S., Kumar Rajesh, Bhatt B.C. Role of Mn as a co-dopant in CaSO₄:Mn,Pr TL phosphors. // Radiation Measurements -2005. Vol.39. –P.111-114.
Lushchik A., Kirm M.,Lushchik Ch.,Martinson I.,Nagirnyi V., Vasil'chenko E., Savikhin F. Multiplication of electronic excitations and prospects for increasing scintillation efficiency in wide-gap crystals // Nucl. Instr. and Meth. A. 2005. V. 537. P. 45-49.
Нурахметов Т.Н., Кайнарбаев А.Д., Жунусбеков А.М., Токбергенов И.Т. Накопления дефектов в облученных сульфатах щелочных металлов. //Доклады 10-ой международной конференции "Физико-химические процессы в неорганических материалах", Кемерово, Россия. 2007. Т. 1. С. 123-124.
Dorenbos P. // J.Lumin.108,-2008.-P.301
Tomita A., Tsutsumi K. // Jpn. J. Appl. Phys. -1982. –Vol.21. -P.L458-L460.
Byberg I.R. // J.Chem.Phys.-1986. – Vol.84. - P.6083-6085.
Dieke, G.H., Crosswhite, H.M. // Appl. Opt. 2. - 1963. – P.675.
Nurakhmetov T.N., Salikhodjaev D.M., Kainarbaev A.D., Zhunusbekov A.M. // Известия высших учебных заведений. Физика- Томск, 2006. №10. Приложение.- С. 150-152.
Floria L.O., Castro M.R., Andrade M.C. Thermostimulated CaSO₄:Mn storage phosphors mixed with P(VDF-TrFE)/PMMA Blends applied to digital radiography. // IEEE Transaction on Dielectrics and Electrical Insulation -2006. Vol.13. No.5.
Ильмас Э.Р., Лущик Ч.Б. Спектральные трансформаторы с фотонным умножением для неоновых люминесцентных ламп. // Труды ИФ АН ЭССР – Тарту, -1972. Т.40. –С.3-23.
Лущик Ч.Б., Савихина Т.И., Мерило И.А., Соовик Х.А. Электронные возбуждения и люминесценция ортофосфата и галофосфатов щелочноземельных металлов. // Труды ИФ АН ЭССР – Тарту, -1986. Т.58. –С.123-141.
Савихина Т.И., Мерило И.А. Фотонное умножение в простых и двойных оксилов металлов. // Труды ИФ АН ЭССР – Тарту, -1979. Т.49. –С.146-171.
Нурахметов Т.Н., Кайнарбаев А.Д., Токбергенов И.Т., Жунусбеков А.М., Азмаганбетова Ж.Р., Токсанбаев Б.Ж. Методы оценки концентрации радионуклидов в почвах методом термостимулированной люминесценции. // 6-ая международная конференция Ядерная и радиационная физика -2007. Алматы, Казахстан. –С.521-522.
Нурахметов Т.Н., Кайнарбаев А.Д., Токбергенов И.Т., Жунусбеков А.М., Азмаганбетова Ж.Р., Токсанбаев Б.Ж. Оценки концентрации радионуклидов в природных объектах с помощью термолюминесцентного комплекса САПФИР-001 в прилегающих районах СИП. // 6-ая международная конференция Ядерная и радиационная физика -2007. Алматы, Казахстан.-С.531-532.
Нурахметов Т.Н., Салиходжаев Д.М., Кайнарбаев А.Д., ЖунусбековА.М., Азмаганбетова Ж.Р., Махметова Б. Влияние редкоземельных ионов на эффективность накопления дефектов в сульфатах щелочных и щелочноземельных металлов. // Вестник. Евразийский национальный университет имени Л.Н.Гумилева -2008. №2(62).-С.100-109.
Kudryavtseva I., Liblik P., Lushchik А., Maaroos A., Azmaganbetova Z.A., Nurakhmetov T.N., Toxanbayev B. Electron-Hole and Excitonic Processes in CaSO₄ Doped with Gd³⁺, Tb³⁺ and Dy³⁺ Luminescent Ions. // Proceedings of the 15th International Conference on Luminescence and Optical Spectroscopy of Condensed Matter (ICL’08) -2008. Lion, France. –Mo-P-097.
Kudryavtseva I., Liblik P., Lushchik А., Maaroos A., Azmaganbetova Z.A., Nurakhmetov T.N., Toxanbayev B. Electron-Hole and Excitonic Processes in CaSO₄ Doped with Gd³⁺, Tb³⁺ and Dy³⁺ Luminescent Ions. // Journal of Luminescence -2008, g/10.1016/j.jlumin.2009.04.082.
Азмаганбетова Ж.Р., Лущик А.Ч., Маароос А., Нурахметов Т.Н., Токсанбаев Б.Ж. Термостимулированные и туннельные процессы в люминофорах CaSO₄:Tb³⁺,Na¹⁺. // Доклады НАН РК, Сер.физико-математическая -2009. № 3, стр.25-30.
Kudryavtseva I., Azmaganbetova Z.A., Kerikmäe M., Liblik P., Lushchik A., Maaroos A., Nurakhmetov T., Savikhin F., Toxanbayev B. Luminescence of pure and doped CaSO₄. // Proceedings of the International Conference on Functional materials and nanotechnologies (FM&NT - 2009) -2009. Riga, Latvia. –P.PO-24
Азмаганбетова Ж.Р. Люминесценция активированных CaSO₄. // Сборник тезисов III Международног конгресса студентов и молодых ученых, посвященный 75 – летию КазНУ имени алб-Фараби: «МИР НАУКИ» -2009. Алматы, Казахстан, стр.83
Азмаганбетова Ж.Р. Термостимулированные и туннельные процессы в CaSO₄:RE³⁺,Na⁺ (RE³⁺= Tb³⁺, Gd³⁺, Dy³⁺). // Труды VI Международной научной конференции «Наука и образование - 2009» ЕНУ имени Л.Н.Гумилева -2009. Астана, Казахстан, стр.156
Lushchik A., Azmaganbetova Z. , Kotlov A. , Kudryavtseva I. , Maaroos A. , Nagirnyi V. , Nurakhmetov T. , Toxanbayev B. Luminescence and Electronic Excitations of CaSO₄. // In: HASYLAB Activity Report 2008, Part I, DESY, Hamburg, Germany, -p.24.

БЛАГОДАРНОСТЬ

Я хочу выразить свою благодарность моим научным руководителям заведующему кафедры Радиоэлектроники и технической физики доктору физико–математических наук, профессору Турлыбеку Нурахметовичу Нурахметову и заведующему лабораторией физики ионных кристаллов Института Физики Тартуского Университета (Эстония) доктору физико-математических наук, профессору Александру Чеславовичу Лущику за предложение темы, руководство и повседневную помощь и поддержку.

Особую благодарность выражаю академику АН Эстонии Чеславу Брониславовичу Лущику за постоянное внимание к работе и плодотворные обсуждения.

Искренне признательна: научному сотруднику, PhD доктору Ирине Аркадьевне Кудрявцевой и кандидату физико-математических наук, старшему научному сотруднику Евгению Андреевичу Васильченко за помощь в изучение работы на установке и в оформлении работы; кандидату химических наук Аарне Маароосу за синтезирование и предоставление объектов; научному сотруднику, кандидату физико-математических наук Пэтеру Либлику за эксперименты с использование электронного облучения; моим коллегам и друзьям Токсанбаеву Б.Ж., Жунусбекову А.М., Кайнарбаеву А.Ж., Красненко В., Красникову А. и другим за понимание, созданную дружескую и теплую обстановку;

Большое спасибо моей семье за поддержку и помощь в написании диссертации.

Blog

Содержание