Geum.ru
   Книги по разным темам

Книги (разное)

[8301-8400]

Pages:     | 1 |   ...   | 82 | 83 | 84 | 85 | 86 |   ...   | 114 |

    Предоставлены книги (разное) для свободного прочтения.

  1. Физика твердого тела, 2002, том 44, вып. 7 Механизм и кинетика начальных стадий роста пленки GaN й С.А. Кукушкин, В.Н. Бессолов, А.В. Осипов, А.В. Лукьянов Институт проблем машиноведения Российской академии наук, 199178 Санкт-Петербург, Россия
  2. Физика твердого тела, 2005, том 47, вып. 7 Роль встроенных электрических полей в формировании излучения квантовых ям InGaN/GaN й В.В. Криволапчук, В.В. Лундин, М.М. Мездрогина Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
  3. Физика твердого тела, 2003, том 45, вып. 7 Алгоритм развертки для численной генерации и записи фуллеренов й А.М. Лившиц, Ю.Е. Лозовик Институт спектроскопии Российской академии наук, 142092 Троицк, Московская обл., Россия E-mail:
  4. Физика и техника полупроводников, 2000, том 34, вып. 11 Стимулирование люминесценции варизонных полупроводников AlxGa1-xAs й К. Пожела, Р.-А. Бендорюс, Ю. Пожела, А. Шиленас Институт физики полупроводников, 2600 Вильнюс, Литва (Получена 17 мая 2000
  5. Физика твердого тела, 1997, том 39, № 8 Численное моделирование методом MINDO/3 электронной структуры нитрида кремния й В.А. Гриценко, Ю.Н. Мороков, Ю.Н. Новиков Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук, 630090
  6. Физика твердого тела, 2001, том 43, вып. 8 Квантовые эффекты в виртуальных и низкотемпературных сегнетоэлектриках (Обзор) й О.Е. Квятковский Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия E-mail:
  7. Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 11 Исследование электронного спектра структур с квантовыми точками InGaN с помощью спектроскопии фототока й Д.С. Сизов, В.С. Сизов, В.В. Лундин, А.Ф. Цацульников, Е.Е. Заварин, Н.Н. Леденцов
  8. Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып. 11 Проблемы наблюдения методом мессбауэровской спектроскопии 67 на изотопе Zn процесса бозе-конденсации в полупроводниках й С.А. Немов, Н.П. Серегин, С.М. Иркаев Санкт-Петербургский
  9. Физика твердого тела, 2006, том 48, вып. 8 Эволюция образования и роста полости в пентагональных кристаллах электролитического происхождения й И.С. Ясников, А.А. Викарчук Тольяттинский государственный университет, 445056 Тольятти, Россия E-mail:
  10. Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып. 11 Модифицирование нанокластеров германия в кремнии под действием импульсного лазерного излучения й В.А. Володин, Е.И. Гацкевич , А.В. Двуреченский, М.Д. Ефремов, Г.Д. Ивлев , + А.И. Никифоров,
  11. Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. 11 Кинетика трансформации домена электрического поля в слабо связанных сверхрешетках в поперечном электрическом поле й Ю.А. Митягин, В.Н. Мурзин, Ю.А. Ефимов, А.А. Пищулин, В.Н. Пырков Физический
  12. Физика твердого тела, 1997, том 39, № 8 Особенности резонансного акустооптического взаимодействия в условиях реально уширенной линии поглощения й А.В. Герус, В.В. Проклов, В.Н. Чесноков Институт радиотехники и электроники Российской академии наук,
  13. Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 11 Особенности фотолюминесценции структур InAs/GaAs с квантовыми точками при различной мощности накачки й В.А. Кульбачинский , В.А. Рогозин, Р.А. Лунин, А.А. Белов, А.Л. Карузский, А.В.
  14. Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып. 11 Радиационная стойкость широкозонных полупроводников (на примере карбида кремния) + й А.А. Лебедев, В.В. Козловский , Н.Б. Строкан, Д.В. Давыдов, А.М. Иванов, А.М. Стрельчук, Р. Якимова
  15. Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № 11 Спектр непрямого магнетоэкситона й Н.Е. Капуткина, Ю.Е. Лозовик Московский институт стали и сплавов, 117936 Москва, Россия Институт спектроскопии Российской академии наук, 142092 Троицк, Россия
  16. Физика и техника полупроводников, 2001, том 35, вып. 11 Аналог эффекта Ганна при туннельном переносе между квантовыми ямами с разной подвижностью й П.И. Бирюлин, А.А. Горбацевич, В.В. Капаев, Ю.В. Копаев, В.Т. Трофимов Московский государственный
  17. Физика твердого тела, 2002, том 44, вып. 8 Кластеры ионов III группы в активированных кристаллах типа флюорита й С.А. Казанский, А.И. Рыскин Государственный оптический институт им. С.И. Вавилова, 199034 Санкт-Петербург, Россия E-mail:
  18. Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 11 Разогрев двумерного электронного газа электрическим полем поверхностной акустической волны й И.Л. Дричко, А.М. Дьяконов, В.Д. Каган, А.М. Крещук, Т.А. Полянская, И.Г. Савельев, И.Ю. Смирнов, А.В.
  19. Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып. 11 Фотолюминесценция нанокластеров сульфида кадмия, сформированных в матрице пленки Ленгмюра-Блоджетт й Е.А. Багаев, К.С. Журавлев , Л.Л. Свешникова, И.А. Бадмаева, С.М. Репинский, M. Voelskow
  20. Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. 11 Колебательные моды и электронно-фононное взаимодействие в полупроводниковых нанотрубках й А.И. Ведерников, А.В. Чаплик Новосибирский государственный университет, 630090 Новосибирск, Россия
  21. Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 11 Межзонное поглощение света в размерно-ограниченных системах в однородном электрическом поле й Э.П. Синявский, С.М. Соковнич, Р.А. Хамидуллин Институт прикладной физики Академии наук Молдавии,
  22. Физика твердого тела, 1997, том 39, № 8 Оптическая активность несоразмерных кристаллов в режиме плосковолновой модуляции й О.С. Кушнир, Л.О. Локоть Львовский государственный университет им. И. Франко, 290005 Львов, Украина (Поступила в Редакцию 10
  23. Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып. 11 Кинетическая теория отрицательного магнетосопротивления как альтернатива слабой локализации в полупроводниках й В.Э. Каминский Институт радиотехники и электроники Российской академии наук,
  24. Физика и техника полупроводников, 2001, том 35, вып. 11 Electron nonelastic scattering by confined and interface polar optical phonons in a modulation-doped AlGaAs/GaAs/AlGaAs quantum well й K. Poela Semiconductor physics institute, 2600 Vilnius,
  25. Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 11 Фотоэмиссия поляризованных электронов из InAlGaAs-GaAs-сверхрешеток с минимальными разрывами зоны проводимости й Л.Г. Герчиков, Ю.А. Мамаев, А.В. Субашиев, Ю.П. Яшин, Д.А. Васильев, В.В.
  26. Физика и техника полупроводников, 2000, том 34, вып. 11 Фотосопротивление Si / Ge / Si-структур с квантовыми точками германия й О.А. Шегай, К.С. Журавлев, В.А. Марков, А.И. Никифоров, О.П. Пчеляков Институт физики полупроводников Сибирского
  27. Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып. 11 Оптические свойства сверхтонких внедрений соединения GaAsN в GaAs, полученных методом молекулярно-пучковой эпитаксии + + + + + й Н.В. Крыжановская , А.Г. Гладышев , А.Р. Ковш , И.П. Сошников ,
  28. Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № 11 Динамика резонансного туннелирования в гетероструктурах с двухдолинным спектром й Г.Ф. Караваев, А.А. Воронков Сибирский физико-технический институт, 634050 Томск, Россия (Получена 4 марта 1998 г.
  29. Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. 11 Гетероструктуры AlGaN/GaN с высокой подвижностью электронов, выращенные методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений й В.В. Лундин, Е.Е. Заварин, А.И. Бесюлькин, А.Г.
  30. Физика и техника полупроводников, 2001, том 35, вып. 11 Электрические характеристики интерференционных транзисторов с одним затвором на различных полупроводниковых материалах й И.И. Абрамов, А.И. Рогачев Белорусский государственный университет
  31. Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 11 Фотолюминесценция кремниевых нанокристаллов под действием электрического поля й Е.Н. Вандышев , А.М. Гилинский, Т.С. Шамирзаев, К.С. Журавлев Институт физики полупроводников Сибирского
  32. Физика твердого тела, 1997, том 39, № 8 Электронная структура стеклообразных фосфатов со сложным строением кислородной подрешетки й А.Ф. Зацепин, В.С. Кортов, Ю.В. Щапова Уральский государственный технический университет, 620002 Екатеринбург, Россия
  33. Физика твердого тела, 2006, том 48, вып. 8 Термодинамика тока в сверхпроводящих и сверхтекучих системах й Е.К. Кудинов Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия (Поступила в Редакцию 24
  34. Физика твердого тела, 2002, том 44, вып. 8 Parameters of light-induced charge transfer processes in photorefractive crystals й O.F. Schirmer, C. Veber, M. Meyer Fachbereich Physik, Universitt Osnabrck, D-49069 Osnabrck, Germany A method is outlined
  35. Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 11 Оптическая спектроскопия двумерных электронных состояний в модулированно-легированных гетероструктурах N-AlGaAs/GaAs й А.В. Гук, В.Э. Каминский, В.Г. Мокеров, Ю.В. Федоров, Ю.В. Хабаров Институт
  36. Физика и техника полупроводников, 2000, том 34, вып. 11 Излучение на 1.3Ц1.4 мкм в структурах с массивами связанных квантовых точек, выращенных методом субмонослойной эпитаксии й Б.В. Воловик, Д.С. Сизов, А.Ф. Цацульников, Ю.Г. Мусихин, Н.Н.
  37. Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 11 Электропроводность квантовых проволок в однородном магнитном поле й Э.П. Синявский, Р.А. Хамидуллин Институт прикладной физики Академии наук Молдовы, МД-2028 Кишинев, Молдова (Получена 29
  38. Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. 11 Электронный магнетотранспорт в связанных квантовых ямах с двухсторонним легированием й Г.Б. Галиев, В.Э. Каминский , И.С. Васильевский , В.А. Кульбачинский , Р.А. Лунин Институт СВЧ
  39. Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып. 11 Самопроизвольное формирование периодической наноструктуры с модуляцией состава в пленках CdxHg1-xTe й П.А. Бахтин, В.С. Варавин , С.А. Дворецкий, А.Ф. Кравченко , А.В. Латышев, Н.Н.
  40. Физика твердого тела, 1998, том 40, № 7 Эхо-отклик в сегнетоэлектрических жидких кристаллах й В.А. Попов, А.Р. Кессель Казанский физико-технический институт Российской академии наук, 420029 Казань, Россия (Поступила в Редакцию 6 ноября 1997 г.) Для
  41. Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 11 Циркулярная поляризация люминесценции, обусловленная током в квантовых ямах й Н.С. Аверкиев , А.Ю. Силов Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021
  42. Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № 11 Влияние дозы и режима отжигов на формирование центров люминесценции в SiO2, имплантированном ионами Si й Г.А. Качурин, А.Ф. Лейер, К.С. Журавлев, И.Е. Тысченко, А.К. Гутаковский, В.А. Володин, В.
  43. Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып. 11 Полумагнитные сверхрешетки типа II ZnMnSe/ZnSSe: рост и магнитолюминесцентные свойства й А.А. Торопов , А.В. Лебедев, С.В. Сорокин, Д.Д. Салнышков, С.В. Иванов, П.С. Копьев, И.А. Буянова ,
  44. Физика твердого тела, 2004, том 46, вып. 8 Термоэдс увлечения электронов фононами в легированном висмуте й В.Д. Каган, Н.А. Редько, Н.А. Родионов, В.И. Польшин, О.В. Зотова Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021
  45. Физика и техника полупроводников, 2000, том 34, вып. 11 Нелинейная теория когерентной генерации резонансно-туннельного диода в широком интервале частот й В.Ф. Елесин, И.Ю. Катеев, А.И. Подливаев Московский государственный инженерно-физический
  46. Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 11 Локализация электронно-дырочных комплексов на флуктуациях интерфейсов квантовых ям й М.А. Семина, Р.А. Сергеев, Р.А. Сурис Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
  47. Физика твердого тела, 2003, том 45, вып. 8 A point group approach to selection rules in crystals й V.P. Smirnov, R.A. Evarestov , P. Tronc Institute of Fine Mechanics and Optics, 197101 St. Petersburg, Russia St. Petersburg State University,
  48. Физика твердого тела, 2002, том 44, вып. 8 Structure and charge transfer dynamics of uranyl ions in boron oxide and borosilicate glasses й G.K. Liu, H.Z. Zhuang, J.V. Beitz, C.W. Williams, V.S. Vikhnin Chemistry Division, Argonne National
  49. Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып. 11 Экситонная рекомбинация около края подвижности в CdSe/ZnSe-наноструктурах й М.Я. Валах , М.П. Лисица, В.В. Стрельчук, Н.В. Вуйчик, С.В. Иванов , А.А. Торопов , Т.В. Шубина , П.С. Копьев
  50. Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. 11 Формирование двумерных и одномерных твердофазных квантовых наноструктур в системе CdHgTeЦэлектролит й В.Б. Божевольнов, А.М. Яфясов, П.П. Коноров Научно-исследовательский институт физики им.
  51. Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 11 Нанокомпозиты опаЦZnO: структура и эмиссионные свойства й Г.А. Емельченко , А.Н. Грузинцев , М.Н. Ковальчук , В.М. Масалов, Э.Н. Самаров, + Е.Е. Якимов , C. Barthou , И.И. Зверькова
  52. Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 11 Влияние спин-орбитального взаимодействия на оптические спектры акцептора в полупроводниковой квантовой точке й А.Ф. Полупанов, В.И. Галиев, М.Г. Новак Институт радиотехники и электроники
  53. Физика твердого тела, 1998, том 40, № 7 К расчету энергии связи электронов и позитронов в диэлектрическом кластере й В.В. Погосов, И.Т. Якубов Научно-исследовательский центр прикладных проблем электродинамики Российской академии наук, 127412 Москва,
  54. Физика твердого тела, 2001, том 43, вып. 8 Возможный спектр позитронных состояний в пористом кремнии й В.И. Графутин, Е.П. Прокопьев, С.П. Тимошенков, Г.Г. Мясищева, Ю.В. Фунтиков Институт теоретической и экспериментальной физики, 117259 Москва,
  55. Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № 11 Влияние дисперсии размеров на оптическое поглощение системы полупроводниковых квантовых точек й М.И. Василевский, А.М. де Паула, Е.И. Акинкина, Е.В. АндаЖ Нижегородский государственный университет
  56. Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып. 11 Эффекты упорядочения наноструктур в системе Si / Ge0.3Si0.7 / Ge при молекулярно-пучковой эпитаксии ,+,= ,+,= =,- й Г.Э. Цырлин , В.А. Егоров , Л.В. Соколов , P. Werner= Институт
  57. Физика твердого тела, 1998, том 40, № 7 Структура и плавление дипольных кластеров й Ю.Е. Лозовик, Е.А. Ракоч Институт спектроскопии Российской академии наук, 142092 Троицк, Московская обл., Россия (Поступила в Редакцию 26 января 1998 г.)
  58. Физика твердого тела, 2006, том 48, вып. 8 Плазменные зоны в графите й Е.М. Байтингер Челябинский государственный педагогический университет, 454080 Челябинск, Россия (Поступила в Редакцию 24 мая 2005 г.) Представлены и обсуждаются экспериментальные
  59. Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 11 Нелинейные оптические и светочувствительные свойства полиамидоимидов, содержащих промышленные азокрасители й Е.Л. Александрова, М.Я. Гойхман, Л.И. Субботина, Н.Н. Смирнов, А.Э. Бурсиан, А.В.
  60. Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. 11 Резонансные переходы электрона между тремя полупроводниковыми квантовыми точками под действием лазерного излучения й А.В. Цуканов Физико-технологический институт Российской академии наук,
  61. Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 11 Фотолюминесценция пористого арсенида галлия й Д.Н. Горячев, О.М. Сресели Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия (Получена 10 июня 1997
  62. Физика твердого тела, 2000, том 42, вып. 8 Структурные дефекты в подложках 6HSiC и их влияние на рост эпитаксиальных слоев методом сублимации в вакууме й Л.М. Сорокин, А.С. Трегубова, М.П. Щеглов, А.А. Лебедев, Н.С. Савкина Физико-технический
  63. Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 11 Прыжковая проводимость в мезопористом кремнии с малой пористостью, сформированном на p+-Si B й С.П. Зимин Ярославский государственный университет им. П.Г. Демидова, 150000 Ярославль, Россия
  64. Физика твердого тела, 2006, том 48, вып. 8 Синтез и исследование диселенида титана, интеркалированного ферроценом и кобальтоценом й А.Н. Титов,, О.Н. Суворова, С.Ю. Кетков, С.Г. Титова, А.И. Меренцов Институт физики металлов Уральского отделения
  65. Физика твердого тела, 1998, том 40, № 7 Некоторые сравнительные термодинамические характеристики фуллерита и отдельных ковалентных элементов й В.Д. Бланк, А.А. Нуждин, В.М. Прохоров, Р.Х. Баграмов Научно-технический центр ФСверхтвердые материалыФ,
  66. Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 11 Поляризационная память в пористом окисленном слое SiC й А.М. Данишевский, А.Ю. Рогачев, В.Б. Шуман, Е.Г. Гук Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021
  67. Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 11 Структурные закономерности фотоэффекта в полиимидных структурах, содержащих гетероциклические фрагменты й Е.Л. Александрова Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
  68. Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 11 Удаление фторполимерных загрязнений с поверхности кремниевых структур при обработке в потоке атомарного водорода й Е.В. Анищенко, В.А. Кагадей , Е.В. Нефёдцев , Д.И. Проскуровский , С.В.
  69. Физика твердого тела, 1999, том 41, вып. 8 Селективная лазерная спектроскопия локализованных экситонов в твердых растворах GaSeЦGaTe в магнитном поле й А.Н. Старухин, Б.С. Разбирин, А.В. Чугреев, М. Хапп, Ф. Хеннебергер Физико-технический институт
  70. Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 11 Перестройка током длины волны излучения мезаполосковых низкопороговых лазеров на основе InAsSb / InAsSbP двойных гетероструктур, излучающих в области 3.3 мкм й Т.Н. Данилова, А.П. Данилова, О.Г.
  71. Физика твердого тела, 2001, том 43, вып. 8 Слабая локализация неупруго отраженных электронов в условиях Оже-эмиссии й В.В. Дубов, В.В. Кораблев Санкт-Петербургский государственный технический университет, 194251 Санкт-Петербург, Россия E-mail:
  72. Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. 11 Нелинейное преобразование частоты в лазере с двойным вертикальным резонатором й Ю.А. Морозов, И.С. Нефедов, В.Я. Алешкин Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, 410019
  73. Физика твердого тела, 2000, том 42, вып. 8 Воздействие контакта с воздухом на спектр фотолюминесценции пористого кремния й В.Ф. Агекян, А.М. Апрелев, Р. Лайхо, Ю.А. Степанов Научно-исследовательский институт физики Санкт-Петербургского
  74. Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 11 Новый тип высокоэффективных двусторонних кремниевых солнечных элементов с внешними шинами и проволочной контактной сеткой й Г.Г. Унтила, Т.Н. Кост, А.Б. Чеботарева, М.Б. Закс , А.М. Ситников,
  75. Физика твердого тела, 2006, том 48, вып. 8 Природа селективности интеркалатных материалов с поляронным типом локализации носителей заряда й А.Н. Титов,, Т.В. Великанова Институт физики металлов Уральского отделения Российской академии наук, 620219
  76. Физика твердого тела, 2003, том 45, вып. 8 Дефекты структуры в молекулярных кристаллах на основе гетероспиновых комплексов меди й Ю.А. Осипьян, Р.Б. Моргунов, А.А. Баскаков, В.И. Овчаренко, С.В. Фокин Институт физики твердого тела Российской
  77. Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 11 Влияние межподзонного поглощения в валентной зоне на пороговые характеристики длинноволновых лазеров на основе InAs й Н.А. Гунько, Г.Г. Зегря, Н.В. Зотова, З.Н. Соколова, Н.М. Стусь, В.Б. Халфин
  78. Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 11 Синие флип-чип светодиоды на основе AlGaInN с удаленной сапфировой подложкой й И.П. Смирнова, Л.К. Марков, Д.А. Закгейм, Е.М. Аракчеева, М.Р. Рымалис Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе
  79. Физика твердого тела, 2002, том 44, вып. 8 Люминесценция экситонов, локализованных около примеси в корунде й Б.Р. Намозов, В.А. Ветров, С.М. Мурадов, Р.И. Захарченя Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021
  80. Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 11 Some Aspects to the RHEED Behaviour of LT-GaAs Growth й kos Nemcsics,+ Hungarian Academy of Sciences, Research Institute for Technical Physics and Materials Science, P.O. Box 49, H-1525
  81. Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. 11 Свойства светодиодов на основе GaSb с сетчатыми омическими контактами й А.Н. Именков, Е.А. Гребенщикова, Б.Е. Журтанов, Т.Н. Данилова, М.А. Сиповская, Н.В. Власенко, Ю.П. Яковлев
  82. Физика твердого тела, 2003, том 45, вып. 8 Исследование движения индивидуальных тройных стыков в алюминии й С.Г. Протасова, В.Г. Сурсаева, Л.С. Швиндлерман Институт физики твердого тела Российской академии наук, 142432 Черноголовка, Московская обл.,
  83. Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 11 Взаимодействие когерентных оптических связанных мод в близко расположенных трехмерных ZnO-микрорезонаторах цилиндрической формы й А.Н. Грузинцев, В.Т. Волков, М.А. Князев, Е.Е. Якимов Институт
  84. Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 11 Усиление интенсивности спонтанного излучения эрбия вблизи края фотонной зоны распределенных брэгговских отражателей на основе a-Si : H/a-SiOx : H й А.В. Медведев, Н.А. Феоктистов, А.Б. Певцов,
  85. Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 11 Влияние плазменной обработки поверхности карбида кремния на характеристики полевых транзисторов со скрытым p-n-затвором й П.А. Иванов, О.И. Коньков, В.Н. Пантелеев, Т.П. Самсонова
  86. Физика твердого тела, 1997, том 39, № 8 Квантовая спиновая жидкость в антиферромагнетике с четырехспиновым взаимодействием й С.С. Аплеснин Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения Российской академии наук, 660036 Красноярск, Россия
  87. Физика твердого тела, 2001, том 43, вып. 8 Пироэлектрические свойства трибората лития в области температур от 4.2 до 300 K й С. Матыясик, Ю.В. Шалдин Международная лаборатория сильных магнитных полей и низких температур, 53-529 Вроцлав, Польша
  88. Физика твердого тела, 1999, том 41, вып. 8 Локальные характеристики электронной структуры кристалла в методе ХартриЦФока й В.А. Верязов, А.В. Леко, Р.А. Эварестов Научно-исследовательский институт химии, 198904 Санкт-Петербург, Россия (Поступила в
  89. НемонотонныеНемонотонные изменения концентрации радиационных дефектов донорного и акцепторного... Энергетический уровень Ev + 0.24 эВ можно отожде- 4. Заключение ствить с межузельным атомом алюминия или с парой Таким образом, обнаружено немонотонное
  90. ЭлектропроводностьЭлектропроводностьЭлектропроводностьЭлектропроводностьЭлектропроводностьЭлектропроводностьЭлектропроводность и термоэдс жидкого теллура с примесями переходных 3d-металлов Electrical conductivity and thermopower of liquid tellurium
  91. СовместнаяСовместнаяСовместная имплантация кремния и фосфора в нелегированную и легированную индием... эти явления связаны с отклонением от стехиометрии, создаваемым изовалентной примесью P, стимулирующим образование ионами кремния мелких донорных
  92. Физика твердого тела, 2001, том 43, вып. 8 Аномалии упругих свойств слоистых материалов й Л.А. Кулакова Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия E-mail: L.Kulakova@shuvpop.ioffe.rssi.ru
  93. СканирующиеСканирующиеСканирующиеСканирующие туннельные микроскопия и спектроскопия аморфного углерода Рис. 9. CTM-изображение поверхности пленки углеродно-платинового нанокомпозита до (слева) и после (справа) двухчасового отжига при температуре
  94. ПарамагнитныеПарамагнитныеПарамагнитныеПарамагнитные дефекты в -облученных кристаллах карбида кремния Сначала обсудим возможную связь спектров ЭПР, об- только косвенную роль, подобно той, что играет бор в наруженных в настоящей работе, с вакансиями
  95. ЭлектролюминесценцияЭлектролюминесценция варизонных структур с антизапорным и омическим контактами 3. Результаты расчета Если при слабых токах (|i| , d-1, d) для каждой частоты спектральная интенсивность ЭЛ I пропори их обсуждение циональна току,
  96. Физика твердого тела, 2006, том 48, вып. 8 Генерация скользящих полупетель расщепленных дислокаций границами зерен в нанокристаллическом Al й С.В. Бобылев, М.Ю. Гуткин, И.А. Овидько Институт проблем машиноведения Российской академии наук, 199178
  97. Физика твердого тела, 1999, том 41, вып. 8 Особенности структуры и температурная стойкость шунгитового углерода к графитации й С.В. Холодкевич, В.И. Березкин, В.Ю. Давыдов Научно-исследовательский Центр экологической безопасности Российской академии
  98. Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып. 12 Температурная зависимость ширины зоны глубоких уровней в сильнодефектном кремнии й Я. Партыка, П.В. Жуковский , П. Венгерэк, А. Родзик, Ю.В. Сидоренко , Ю.А. Шостак Люблинский технический
  99. Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 12 Влияние дополнительно введенных примесей Zn и Eu на вид спектров фотолюминесценции кристаллов GaN, легированных Er й М.М. Мездрогина, В.В. Криволапчук, В.Н. Петров, С.Н. Родин, А.В. Черенков
  100. Физика твердого тела, 1998, том 40, № 8 Анализ эффекта квантовой интерференции упругого и неупругого рассеяния электронов в неупорядоченных средах й Б.Н. Либенсон, В.В. Румянцев Санкт-Петербургский государственный технический университет, 195251

Pages:     | 1 |   ...   | 82 | 83 | 84 | 85 | 86 |   ...   | 114 |
     Книги по разным темам