Geum.ru
   Книги по разным темам

Книги (разное)

[7601-7700]

Pages:     | 1 |   ...   | 75 | 76 | 77 | 78 | 79 |   ...   | 114 |

    Предоставлены книги (разное) для свободного прочтения.

  1. Физика твердого тела, 2003, том 45, вып. 5 Вычисление из первых принципов сверхтонких полей на лигандах во фторидах й О.А. Аникеенок Казанский государственный университет, 420008 Казань, Россия E-mail: falin@kfti.knc.ru (Поступила в Редакцию 12
  2. Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып. 7 Структура и свойства карбида кремния, выращенного на пористой подложке методом сублимационной эпитаксии в вакууме й Н.С. Савкина , В.В. Ратников, А.Ю. Рогачев, В.Б. Шуман, А.С. Трегубова, А.А.
  3. Физика и техника полупроводников, 2001, том 35, вып. 7 Металлическая проводимость по акцепторной зоне легированных медью слабо компенсированных кристаллов p-Hg0.78Cd0.22Te й В.В. Богобоящий Кременчугский государственный политехнический институт,
  4. Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 7 Влияние нейтронного облучения на свойства нитевидных микрокристаллов n-InSb + + й И.А. Большакова, В.М. Бойко , В.Н. Брудный , И.В. Каменская, Н.Г. Колин , Е.Ю. Макидо, Т.А. Московец,
  5. Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 7 Получение и оптические свойства монокристаллов ZnSe, легированных кобальтом й Ю.Ф. Ваксман, В.В. Павлов, Ю.А. Ницук, Ю.Н. Пуртов, А.С. Насибов , П.В. Шапкин Одесский национальный университет
  6. Физика твердого тела, 1998, том 40, № 5 Воздействие неравновесных фононов на экситонную люминесценцию в квантовых ямах CdTe / CdMnTe й А.В. Щербаков, А.В. Акимов, В.П. Кочерешко, D.R. Yakovlev, W. Ossau, G. Landwehr, T. Wojtowicz, G. Karczewski, J.
  7. Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 7 Особенности структуры пленок аморфного гидрированного кремния, осажденных методом разложения силана на постоянном токе в магнитном поле й О.А. Голикова, А.Н. Кузнецов, В.Х. Кудоярова, М.М. Казанин
  8. Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. 7 Особенности электронного парамагнитного резонанса в 4H-SiC в области фазового перехода изоляторЦметалл.II. Анализ ширины и формы линий й А.И. Вейнгер, А.Г. Забродский, Т.В. Тиснек, Е.Н. Мохов
  9. Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып. 7 Влияние состава твердого раствора CdS и Ga2S3 на его свойства и дефектную структуру й Е.Ф. Венгер, И.Б. Ермолович , В.В. Миленин, В.П. Папуша Институт физики полупроводников Национальной
  10. Физика твердого тела, 1999, том 41, вып. 5 From Roentgen to Ioffe, from Giessen to Saint Petersburg Ч Relations Between Russian and German Physics й A. Scharmann Physics Institute, JustusЦLiebigЦUniversity Giessen, D 35392 Giessen, Germany E-mail:
  11. Физика и техника полупроводников, 2001, том 35, вып. 7 Закрепление химического потенциала и электрические свойства облученных сплавов СdxHg1-xTe й В.Н. Брудный, С.Н. Гриняев Сибирский физико-технический институт им. В.Д. Кузнецова, 634050 Томск,
  12. Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № 7 Исследование нелинейной динамики переноса в компенсированом полупроводнике при низкотемпературном электрическом пробое путем компьютерного моделирования й К.М. Джандиери, В.С. Качлишвили Тбилисский
  13. Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. 7 Локализация продольного автосолитона в антимониде индия й И.К. Камилов, А.А. Степуренко, А.С. Ковалев Институт физики Дагестанского научного центра Российской академии наук, 367003 Махачкала,
  14. Физика твердого тела, 1999, том 41, вып. 5 Прогресс в выращивании кристаллов и изучении широкозонных полупроводниковых материалов й Ю.А. Водаков, Е.Н. Мохов Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург,
  15. Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 7 Отрицательное магнитосопротивление в кремнии, легированном бором и марганцем, стимулированное электрическим полем и светом й М.К. Баxадырханов, О.Э. Саттаров, Х.М. Илиев, К.С. Аюпов, Туэрди
  16. Физика твердого тела, 1998, том 40, № 5 К теории поглощения света экситонами в структурах с квантовыми ямами й В.А. Кособукин Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия Построена теория
  17. Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. 7 Пьезоспектроскопическое исследование полосы излучения с максимумом около 1.2 эВ в n-GaAs : S й А.А. Гуткин , М.А. Рещиков Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
  18. Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 7 Роль пространственной локализации частицы в процессе туннелирования й Н.Л. Чуприков Сибирский физико-технический институт при Томском государственном университете, 634050 Томск, Россия (Получена 4
  19. Физика твердого тела, 2004, том 46, вып. 5 Генезис энергетических зон из подрешеточных состояний в оксидах и сульфидах щелочно-земельных металлов й Ю.М. Басалаев, Ю.Н. Журавлев, А.В. Кособуцкий, А.С. Поплавной Кемеровский государственный
  20. Физика твердого тела, 1999, том 41, вып. 5 EPR of Defects in Semiconductors: Past, Present, Future й G.D. Watkins Department of Physics, Lehigh University, Bethlehem, PA 18015, USA E-mail: gdw0@lehigh.edu Important physiсal concepts learned from
  21. Физика твердого тела, 2000, том 42, вып. 5 Учет межэлектронных корреляций в модели подвижных электронных оболочек й Ю.Д. Панов, А.С. Москвин Уральский государственный университет, 620083 Екатеринбург, Россия E-mail: yuri. panov@usu.ru (Поступила в
  22. Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып. 7 СВЧ магнитосопротивление компенсированного p-Ge : Ga в области фазового перехода изоляторЦметалл й А.И. Вейнгер, А.Г. Забродский, Т.В. Тиснек Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе
  23. Физика твердого тела, 1998, том 40, № 5 Исследование резонансного туннелирования экситонов в сверхрешетках GaAs/AlAs в электрическом поле методом рамановской спектроскопии й В.Ф. Сапега, Т. Руф, М. Кардона, Х.Т. Гран, К. Плоог Физико-технический
  24. Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № 7 Фотовольтаический эффект в поверхностно-барьерных структурах In/тонкие пленки IЦIIIЦVI2 й В.Ю. Рудь, Ю.В. Рудь, И.В. БоднарьЖ, В.Ф. ГременокЖ, О.С. ОбразцоваЖ, С.Л. Сергеев-НекрасовЖ
  25. Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 7 Изменение оптических свойств пористого кремния вследствии термического отжига в вакууме й В.А. Киселев, С.В. Полисадин, А.В. Постников Институт микроэлектроники Российской академии наук, 150007
  26. Физика твердого тела, 2006, том 48, вып. 5 ЭПР-исследования изменений зарядового состояния Cr по сечению дислокационных трубок в кристаллах ZnS й С.А. Омельченко, А.А. Горбань, М.Ф. Буланый, А.А. Тимофеев Днепропетровский национальный университет,
  27. Физика и техника полупроводников, 2000, том 34, вып. 7 Отрицательная дифференциальная проводимость и блоховские осцилляции в естественной сверхрешетке политипа 8H карбида кремния й В.И. Санкин, А.А. Лепнева Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе
  28. Физика твердого тела, 1999, том 41, вып. 5 Exciton-Electron Interaction in Quantum Wells with a Two Dimensional Electron Gas of Low Density й W. Ossau, D.R. Yakovlev, C.Y. Hu, V.P. Kochereshko, G.V. Astakhov, R.A. Suris, P.C.M. Christianen, J.C.
  29. Физика твердого тела, 2003, том 45, вып. 5 Аномальная дисперсия поперечных акустических волн в пьезоэлектрической сандвич-структуре й В.И. Альшиц, В.Н. Любимов Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова Российской академии наук, 117333 Москва,
  30. Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 7 Исследование электронно-дырочного рассеяния в p-кремнии при низком уровне инжекции носителей заряда й Т.Т. Мнацаканов, Л.И. Поморцева, В.Б. Шуман Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе
  31. Физика твердого тела, 1998, том 40, № 5 Прямые и пространственно непрямые экситоны в GaAs/AlGaAs-сверхрешетках в сильном магнитном поле й В.Б. Тимофеев, А.И. Тартаковский, А.И. Филин, D. Birkedal, J. Hvam Институт физики твердого тела Российской
  32. Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 7 Оптические исследования двумерного фотонного кристалла с квантовыми точками InAs/InGaAs в качестве активной области й С.А. Блохин+, О.А. Усов+, А.В. Нащекин+, Е.М. Аракчеева+, Е.М.
  33. Физика твердого тела, 1997, том 39, № 5 Акустоэлектрический домен в пьезополупроводниках: зарождение и свойства йВ.М. Рысаков Физический институт при Педагогическом университете, 76Ц200 Слупск, Польша (Поступила в Редакцию 26 сентября 1996 г.)
  34. Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 7 Влияние примеси олова на кинетику фотопроводимости тонких аморфных слоев селенида мышьяка й М.С. Иову, Е.П. Коломейко, С.Д. Шутов Институт прикладной физики Академии наук Молдовы, 277028 Кишинев,
  35. Физика твердого тела, 2002, том 44, вып. 5 Оптические свойства и электронная структура флюорита и корунда й В.В. Соболев, А.И. Калугин, В.Вал. Соболев, С.В. Смирнов Удмуртский государственный университет, 426034 Ижевск, Россия E-mail:
  36. Физика твердого тела, 1999, том 41, вып. 5 Influence of the Disorder in Doped Germanium Changed by Compensation on the Critical Indices of the Metal-Insulator Transition й Rolf Rentzsch, A.N. Ionov, Ch. Reich, V. Ginodman, I. Shlimak, P. Fozooni,
  37. Физика твердого тела, 2004, том 46, вып. 5 Структура блоховской доменной границы в кубическом кристалле й О.А. Антонюк, А.В. Тычко, В.Ф. Коваленко Киевский национальный университет им. Т. Шевченко, 01033 Киев, Украина E-mail: lab124@univ.kiev.ua
  38. Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып. 7 E0-спектры фотоотражения полупроводниковых структур с высокой плотностью состояний в области границы раздела й Р.В. Кузьменко , Э.П. Домашевская Воронежский государственный университет
  39. Физика и техника полупроводников, 2000, том 34, вып. 7 Исследование многослойных структур c InAs нанообъектами в кремниевой матрице методом трансмиссионной электронной микроскопии й В.Н. Петров, Н.К. Поляков, В.А. Егоров, Г.Э. Цырлин, N.D.
  40. Физика твердого тела, 1997, том 39, № 5 Междолинная конверсия на границе.Микроскопическая модель й Л.С. Брагинский, Д.А. Романов Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук, 630090 Новосибирск, Россия (Поступила в
  41. Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 7 Оптические переходы в квантованном цилиндрическом слое при наличии однородного электрического поля й В.А. Арутюнян , С.Л. Арутюнян, Г.О. Демирчян, Г.Ш. Петросян Государственный инженерный
  42. Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 7 Влияние энергии фотонов и температуры на эффект замороженной туннельной фотопроводимости структур Al/(Si)-GaAs й И.Н. Котельников, С.Е. Дижур, М.Н. Фейгинов+, Н.А. Мордовец Институт
  43. Физика твердого тела, 1999, том 41, вып. 5 Эмиссионные процессы, сопровождающие деформирование и разрушение металлов й К.Б. Абрамова, И.П. Щербаков, А.И. Русаков, А.А. Семенов Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
  44. Физика твердого тела, 2006, том 48, вып. 5 К магнитооптике ортоферритов при спиновой переориентации й В.С. Меркулов, В.В. Федотова Институт физики твердого тела и полупроводников Национальной академии наук Белоруссии, 220072 Минск, Белоруссия
  45. Физика и техника полупроводников, 2001, том 35, вып. 7 Смешивание электронных состояний Xx и Xy-долин в гетероструктурах AlAs / GaAs(001) й Г.Ф. Караваев, В.Н. Чернышов Сибирский физико-технический институт, 634050 Томск, Россия (Получена 15 января
  46. Физика твердого тела, 2003, том 45, вып. 5 Энергоемкость разрушения материалов в условиях импульсного нагружения микросекундной длительности й А.А. Груздков, С.И. Кривошеев, Ю.В. Петров Научно-исследовательский центр ДДинамикаУ Санкт-Петербургского
  47. Физика твердого тела, 2004, том 46, вып. 5 Спектр спиновых волн в идеальном мультислойном магнетике при модуляции всех параметров уравнения ЛандауЦЛифшица й В.В. Кругляк, А.Н. Кучко, В.И. Финохин Донецкий национальный университет, 83055 Донецк,
  48. Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып. 7 Эффект переключения в гетеропереходах SiЦCdS, синтезированных в резко неравновесных условиях й А.П. Беляев , В.П. Рубец Санкт-Петербургский государственый технологический институт, 198013
  49. Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № 7 Теоретическое исследование пороговых характеристик лазеров на многих квантовых ямах на основе InGaN й Г.Г. Зегря, Н.А. Гунько Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
  50. Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 7 Механизм электролюминесценции пористого кремния в электролитах й Д.Н. Горячев, О.М. Сресели, Л.В. Беляков Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург,
  51. Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 7 Неомическая прыжковая квазидвумерная проводимость и кинетика ее релаксации й Б.А. Аронзон , Д.Ю. Ковалев, В.В. Рыльков Российский научный центр ДКурчатовский институтУ, 123182 Москва, Россия
  52. Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 7 Высшие гармоники колебаний тока в слабосвязанных сверхрешетках GaAs/AlGaAs й Г.К. Расулова , Н.П. Брунков , А.Е. Жуков , В.М. Устинов Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии
  53. Физика твердого тела, 2001, том 43, вып. 5 Роль поверхностных состояний в магнитных свойствах нанокристаллического CuO й Т.И. Арбузова, С.В. Наумов, А.А. Самохвалов, Б.А. Гижевский, В.Л. Арбузов, К.В. Шальнов Институт физики металлов Уральского
  54. Физика твердого тела, 2004, том 46, вып. 5 Влияние магнитофононного взаимодействия на магнитные свойства ферромагнетика: модельные расчеты й В.Ю. Бодряков, А.А. Повзнер Уральский государственный технический университет, 620002 Екатеринбург, Россия
  55. Физика твердого тела, 2003, том 45, вып. 5 Ферромагнитный и спин-волновой резонанс в мультислойных пленках Co/Pd/CoNi й Р.С. Исхаков, Ж.М. Мороз , Л.А. Чеканова, Е.Е. Шалыгина , Н.А. Шепета Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения
  56. Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. 7 Нелинейные свойства фототропных сред на основе наночастиц селенидов меди CuxSe в кварцевом стекле й С.А. Золотовская , Н.Н. Поснов, П.В. Прокошин, К.В. Юмашев, В.С. Гурин , А.А. Алексеенко+
  57. Физика и техника полупроводников, 2000, том 34, вып. 7 Интерференция носителей тока в одномерных полупроводниковых кольцах й Н.Т. Баграев, А.Д. Буравлев, В.К. Иванов, Л.Е. Клячкин, А.М. Маляренко, С.А. Рыков, И.А. Шелых Физико-технический институт
  58. Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып. 7 Особенности магнитодиодного эффекта в многодолинных полупроводниках при низких температурах й А.А. Абрамов, И.Н. Горбатый Московский государственный институт электронной техники (Технический
  59. Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № 7 Модуляция оптического поглощения квантовых ям GaAs / AlGaAs в поперечном электрическом поле й Л.Е. Воробьев, Е.А. Зибик, Д.А. Фирсов, В.А. Шалыгин, О.Н. Нащекина, И.И. Сайдашев Санкт-Петербургский
  60. Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 7 Спектральная эллипсометрия наноалмазного композита й С.Г. Ястребов, С.К. Гордеев, М. Гаррига+, И.А. Алонсо+, В.И. Иванов-Омский Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии
  61. Физика твердого тела, 2001, том 43, вып. 5 Влияние непрерывной накачки на распространение солитонов огибающей магнитостатических спиновых волн й А.В. Кокин, С.А. Никитов Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, 103907 Москва,
  62. Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 7 Латеральное объединение вертикально связанных квантовых точек й А.Ф. Цацульников, А.Ю. Егоров, А.Е. Жуков, А.Р. Ковш, В.М. Устинов, Н.Н. Леденцов, М.В. Максимов, Б.В. Воловик, А.А. Суворова, Н.А.
  63. Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № 7 Поглощение и преломление света при межподзонных переходах горячих электронов в связанных квантовых ямах GaAs / AlGaAs й Л.Е. Воробьев, И.Е. Титков, А.А. Торопов, В.Н. ТулупенкоЖ, Д.А. Фирсов, В.А.
  64. Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. 7 Излучательная рекомбинация в пленках SiO2, имплантированных ионами Ge+ и отожженных в условиях гидростатического сжатия й И.Е. Тысченко, Л. Реболе Институт физики полупроводников Сибирского
  65. Физика твердого тела, 1997, том 39, № 5 Рентгенодифракционные исследования кремния, имплантированного ионами эрбия с высокими энергиями й Р.Н. Кютт, Н.А. Соболев Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021
  66. Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып. 7 Поведение заряда в скрытом диэлектрике структур кремний-на-изоляторе в электрических полях й Д.В. Николаев, И.В. Антонова , О.В. Наумова, В.П. Попов, С.А. Смагулова Институт физики
  67. Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 7 Переход от термодинамического режима формирования квантовых точек в системе InAs / GaAs(100) к кинетическому + + й Ю.Г. Мусихин , Г.Э. Цырлин , В.Г. Дубровский , Ю.Б. Самсоненко , + А.А.
  68. Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 7 Характеристики кремниевых многопереходных солнечных элементов с вертикальными p-n-переходами й Е.Г. Гук, Т.А. Налет, М.З.Шварц, В.Б.Шуман Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской
  69. Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 7 Инфракрасная и субмиллиметровая спектроскопия щелевых кремниевых структур й Е.Ю. Круткова, В.Ю. Тимошенко, Л.А. Головань, П.К. Кашкаров, Е.В. АстроваЖ, Т.С. Перова, Б.П. ГоршуновХ, А.А. ВолковХ
  70. Физика твердого тела, 2003, том 45, вып. 5 Энтропийный вклад в тепловое расширение редкоземельных соединений й Н.П. Колмакова, Л.В. Такунов, О.А. Шишкина Брянский государственный технический университет, 241035 Брянск, Россия E-mail:
  71. Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № 7 Поглощение света в непериодических сверхрешетках PbS/C в электрическом поле й С.Ф. Мусихин, В.И. Ильин, О.В. Рабизо, Л.В. Шаронова, Л.Г. Бакуева Санкт-Петербургский государственный технический
  72. Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып. 7 Исследование влияния электронного облучения на структуру GaSeЦSiO2 спектроскопическими методами й Т.Д. Ибрагимов , Э.А. Джафарова, З.Б. Сафаров Институт физики Азербайджанской национальной
  73. Физика твердого тела, 1998, том 40, № 5 Оптическая ориентация и выстраивание экситонов в квантовых точках й Р.И. Джиоев, Б.П. Захарченя, Е.Л. Ивченко, В.Л. Коренев, Ю.Г. Кусраев, Н.Н. Леденцов, В.М. Устинов, А.Е. Жуков, А.Ф. Цацульников
  74. Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 7 Шум 1/ f в сильно легированном n-GaAs в условиях зона-зонной подсветки й Н.В. Дьяконова, М.Е. Левинштейн, F. Pascal , С.Л. Румянцев Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии
  75. Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. 7 Влияние размерного квантования спектра акустических фононов на рассеяние электронов в сверхрешетке GaAs/AlxGa1-xAs й С.И. Борисенко Сибирский физико-технический институт им. В.Д. Кузнецова,
  76. Физика твердого тела, 1999, том 41, вып. 5 Молекулярная подвижность и упрочнение ориентированных жидкокристаллических полимеров й Е.А. Егоров, А.В. Савицкий, В.В. Жиженков, И.А. Горшкова Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии
  77. Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 7 Резонансная модуляция электрон-электронной релаксации квантующим магнитным полем й В.И. Кадушкин Рязанский государственный педагогический университет им. С.А. Есенина, 390000 Рязань, Россия
  78. Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № 7 Особенности роста квантовых точек InAs на вицинальной поверхности GaAs (001), разориентированной в направлении [7601-7700] й В.П. Евтихиев, В.Е. Токранов, А.К. Крыжановский, А.М. Бойко, Р.А. Сурис, А.Н.
  79. Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 7 Анализ причин падения эффективности электролюминесценции светодиодных гетероструктур AlGaInN при большой плотности тока накачки й И.В. Рожанский , Д.А. Закгейм Физико-технический институт им.
  80. Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып. 7 Расчет низкополевой подвижности квазидвумерных электронов сверхрешетки GaAs/Al0.36Ga0.64As в области температуры 77 K й C.И. Борисенко Сибирский физико-технический институт им. В.Д. Кузнецова
  81. Физика твердого тела, 1999, том 41, вып. 5 Relaxation into Tunnel Induced Non-equilibrium States in Metal Oxide Semiconductor Structures й A. Vercik, A. Faign Devices Physics-Microelectronics Laboratory, Faculty of Engineering, University of Buenos
  82. Физика твердого тела, 2000, том 42, вып. 5 Исследование магнитных полей рассеяния малых линейных размеров магнитооптическими методами й Д.Е. Балабанов, С.А. Никитов, Московский физико-технический институт, 141700 Долгопрудный, Московская обл.,
  83. Физика твердого тела, 2003, том 45, вып. 5 Влияние кристаллической структуры и межслоевой обменной связи на коэрцитивную силу Co/Cu/Co-пленок й Л.А. Чеботкевич, Ю.Д. Воробьев, А.С. Самардак, А.В. Огнев Дальневосточный государственный университет,
  84. Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 7 Исследование локальной электронной и атомной структуры в аморфных сплавах a-SixC1-x методом ультрамягкой рентгеновской спектроскопии й В.А. Терехов, Е.И. Теруков, И.Н. Трапезникова, В.М.
  85. Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. 7 Эффект Капицы в кристаллах со сверхрешеткой й П.В. Горский Черновицкий национальный университет, 58000 Черновцы, Украина (Получена 20 ноября 2003 г. Принята к печати 23 декабря 2003 г.)
  86. Физика твердого тела, 2002, том 44, вып. 5 Особенности сверхзвуковой нелинейной динамики доменных границ в редкоземельных ортоферритах й А.П. Кузьменко, В.К. Булгаков Хабаровский государственный технический университет, 680035 Хабаровск, Россия
  87. Физика твердого тела, 2004, том 46, вып. 5 Магнитные и магнитооптические свойства многослойных наноструктур ферромагнетикЦполупроводник й В.Е. Буравцова, Е.А. Ганьшина, В.С. Гущин, С.И. Касаткин , А.М. Муравьёв , Н.В. Плотникова , Ф.А. Пудонин
  88. Физика твердого тела, 1999, том 41, вып. 5 Переходные и редкоземельные элементы в широкозонных полупроводниках SiC и GaN: последние исследования ЭПР й П.Г. Баранов, И.В. Ильин, Е.Н. Мохов, В.А. Храмцов Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе
  89. Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 7 Глубокие центры и отрицательный температурный коэффициент напряжения пробоя p-n-структур на основе SiC й А.А. Лебедев, С. Ортоланд, К. Реноуд, М.Л. Локателли, Д. Плансон, Ж.П. Шант
  90. Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № 7 Рассеяние горячих электронов нейтральными акцепторами в структурах с квантовыми ямами GaAs/AlAs й Д.Н. Мирлин, В.И. Перель, И.И. Решина Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской
  91. Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. 7 Оптические и структурные свойства массивов квантовых точек InAs, осажденных в матрицу InxGa1-xAs на подложке GaAs й Н.В. Крыжановская, А.Г. Гладышев, С.А. Блохин, Ю.Г. Мусихин, А.Е. Жуков, М.В.
  92. Физика твердого тела, 1999, том 41, вып. 5 Смещение заряда при интеркаляции графитоподобных нанокластеров в аморфном углероде медью й В.И. Иванов-Омский, Э.А. Сморгонская Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021
  93. Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 7 Оптические и электрические свойства тонких пластин, изготовленных из нанокристаллических порошков кремния й Н.Н. Кононов, Г.П. Кузьмин, А.Н. Орлов+, А.А. Сурков, О.В. Тихоневич Институт общей
  94. Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 7 Электролюминесценция на длине волны 1.54 мкм в структурах Si : Er/Si, выращенных методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии й В.П. Кузнецов, Д.Ю. Ремизов , В.Н. Шабанов, Р.А.
  95. Физика твердого тела, 1998, том 40, № 5 Толщинная зависимость экситонного поглощения в чистых кристаллах GaAs ФдоквантовогоФ предела й Г.Н. Алиев, Н.В. Лукьянова, Р.П. Сейсян Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
  96. Физика твердого тела, 2001, том 43, вып. 5 Кинетика фазовых превращений при термическом отжиге в тонких золь-гель-пленках PZT й В.Я. Шур, Е.Б. Бланкова, А.Л. Субботин, Е.А. Борисова, А.В. Баранников Научно-исследовательский институт физики и
  97. Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып. 7 GaAs в GaSb Ч напряженные наноструктуры для оптоэлектроники среднего инфракрасного диапазона й В.А. Соловьев , А.А. Торопов, Б.Я. Мельцер, Я.В. Терентьев, Р.Н. Кютт, А.А. Ситникова, Ж А.Н.
  98. Физика твердого тела, 1999, том 41, вып. 5 Electron Spin Beats in InGaAs/GaAs Quantum Dots й V.K. Kalevich, M.N. Tkachuk, P. Le Jeune, X. Marie, T. Amand A.F. Ioffe Physico-technical institute of Russian Academy of Sciences, 194021 St. Petersburg,
  99. Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. 7 Механизм сверхизлучения Дике в полупроводниковых гетероструктурах й Л.Я. Карачинский , И.И. Новиков, Н.Ю. Гордеев, Г.Г. Зегря Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии
  100. Физика твердого тела, 2002, том 44, вып. 5 Влияние внешнего электрического поля на структуру магнонного спектра ограниченного магнитоэлектрика й С.В. Тарасенко Донецкий физико-технический институт Национальной академии наук Украины, 83114 Донецк,

Pages:     | 1 |   ...   | 75 | 76 | 77 | 78 | 79 |   ...   | 114 |
     Книги по разным темам