ГОТОВЫЕ ДИПЛОМНЫЕ РАБОТЫ, КУРСОВЫЕ РАБОТЫ, ДИССЕРТАЦИИ И РЕФЕРАТЫ
Составления топологии гибридных интегральных микросхем | ||
| Автор | Юлия | |
| Вуз (город) | СибГУТИ | |
| Количество страниц | 15 | |
| Год сдачи | 2009 | |
| Стоимость (руб.) | 1500 | |
| Содержание | Содержание.
1. Введение............................................................................................2 2. Электрический расчет......................................................................5 2.1. Комбинация “0111”..........................................................................6 2.2. Комбинация “0010”..........................................................................8 2.3. Комбинация “1100”..........................................................................9 2.4. Комбинация “1000”........................................................................11 2.5. Расчет мощностей...........................................................................11 3. Технологический расчет................................................................13 4. Заключение.......................................................................................16 5. Литература.......................................................................................16 |
|
| Список литературы | Литература.
1. В.А Валетов «Основы производства радиоэлектронной аппаратуры» учебное пособие. 2007 2. Интегральные микросхемы из работы |
Введение.
Современный научно-технический прогресс невозможен без радиоэлектронной аппаратуры (РЭА), которая широко используется как при планировании и управлении производством, так и в автоматизации производственных процессов и в научных исследованиях. Технологии изготовления РЭА постоянно совершенствуются. В развитии радиоэлектронной аппаратуры можно выделить несколько этапов, характеризующих технологии и принципы изготовления РЭА. Этапы развития РЭА (радио электронной аппаратуры). 1. Навесной монтаж (основные элементы: резисторы, конденсаторы, катушки индуктивности, электровакуумные (полупроводниковые) приборы). 2. Печатный монтаж (особенности: уменьшение габаритов РЭА и повышение ее надежности). 3. Интегральные микросхемы (особенности: непрерывное возрастание сложности, числа элементов, степени интеграции). Каждый новый этап развития технологии изготовления РЭА не отрицал и не исключал ранее разработанную технологию и ранее применявшиеся элементы РЭА, а дополнял и обогащал ее, обеспечивал качественно новый уровень разработки, изготовления и эксплуатации аппаратуры. Поэтому при решении каждой конкретной задачи при выборе элементной базы и соответствующей ей технологии изготовления радиоэлектронного устройства необходимо учитывать достоинства и недостатки каждого поколения РЭА. На первом этапе основными элементами РЭА были резисторы, конденсаторы, катушки индуктивности, электровакуумные и позже полупроводниковые приборы. Все эти элементы изготовляли в виде конструктивно законченных деталей, укрепляемых на шасси с помощью опорных поверхностей, а их выводы соединяли соответствующим образом проводниками с помощью пайки. В дальнейшем этот вид монтажа получил название навесного монтажа. На втором этапе удалось уменьшить габариты РЭА и повысить ее надежность. В ходе развития печатного монтажа: в печатных платах сначала заменили резисторы токоведущими дорожками из материала с большим удельным электрическим сопротивлением, затем конденсаторы - разрывами в токоведущих дорожках, заполненными соответствующим диэлектриком. Такие платы получили название интегральных микросхем. Появление интегральных микросхем открыло перед радиоэлектроникой практически неограниченные возможности. На рисунке показаны отрасли применения печатных плат. |